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ナノメータサイズの構造を持った材料のフォトニック機能

研究報告コード R013000320
掲載日 2003年10月1日
研究者
  • 中村 新男
研究者所属機関
  • 名古屋大学
研究機関
  • 名古屋大学
報告名称 ナノメータサイズの構造を持った材料のフォトニック機能
報告概要 高性能フォトニックデバイスの研究開発にはデバイス要素をナノメータスケールまで小さくして量子サイズ効果を利用することが重要である。このプロジェクトで我々は,量子サイズ効果にともなう半金属/半導体の電子輸送と磁気的性質および金属ナノ結晶/絶縁体の超高速で非線形な光学的性質を研究している。以下にその重要な進展を報告する。
(1)SPMと真空で連結されたフェースダウンOMVPE装置(図1)とそれによるErP on InPの成長。
(2)GaAs上に成長したInAsおよびInGaAs単一量子ドットの表面形態およびギャップエネルギーのSTM/STSによる研究(図2)。
(3)表面修飾された金ナノクラスターの合成と評価。
(4)金ナノ結晶-絶縁体複合材料の超高速非線形光応答(図3)。
(5)磁性不純物を含むヘテロ構造の電子状態と輸送。Mnを含む(Ga-Mn)As半導体について理論的に研究した。それによると,下向きスピンの価電子帯頂上に鋭い共鳴状態が現れ,それがMnと強い長距離の強磁性結合を引き起こす。
これらの進展のうちのいくつかは後出の報告書に詳しく述べられている。
画像

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研究分野
  • 金属の結晶成長
  • 半導体結晶の電子構造
  • 半導体結晶の電気伝導
  • 13‐15族化合物を含む半導体-半導体接合
研究制度
  • 戦略的創造研究推進事業 CRESTタイプ、電子・光子等の機能制御/研究代表者 中村 新男(名古屋大学大学院工学研究科)/科学技術振興事業団
研究報告資料
  • 中村 新男. Photonic Function of Materials with Nanometer-Sized Structures. The Second CREST Symposium on ''Function Evolution of Materials and Devices based on Electron/Photon Related Phenomena'',2001. p.138 - 141.

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