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極小接合のトンネル磁気抵抗の導電性AFMによる測定

研究報告コード R013000332
掲載日 2003年10月1日
研究者
  • 久保田 均
  • 安藤 康夫
  • 宮崎 照宣
研究者所属機関
  • Department of Applied Physics, Graduate School of Engineering, Tohoku University
  • Department of Applied Physics, Graduate School of Engineering, Tohoku University
  • Department of Applied Physics, Graduate School of Engineering, Tohoku University
研究機関
  • Department of Applied Physics, Graduate School of Engineering, Tohoku University
報告名称 極小接合のトンネル磁気抵抗の導電性AFMによる測定
報告概要 Si/SiO2/Ta(5nm)/Cu(30nm)/CoFe(1.5nm)/Ru(0.9nm)/CoFe(2.2nm)/Al(1.5nm)-O/NiFe(6nm)/Ta(5nm)/Au(30nm)積層膜をスパッタリングとAlのプラズマ酸化で作製した。電子ビームリソグラフィとArイオンエッチングで30nmから1000nmのアスペクト比1:1から1:10のパターンを作製した。測定は導電性AFMで行い,接合の表面像と電流像を同時に得た(図1(a)(b))。またその中からいくつかの接合を選んで磁気抵抗(MR)曲線を測定した。抵抗×面積の値とMR比の代表的な値としてそれぞれ2MΩμm2と17%が得られた。これらの値は,通常のフォトリソグラフィーにより作製した大きなサイズの接合の値とよく一致している。図2には,測定したものの中でいちばん小さい50nm×50nmの接合のMR曲線を示す。接合面積が小さくなるにつれて,スイッチング磁場は増加し,小ループは磁場の正の方向に移動した。
画像

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研究分野
  • 金属結晶の電子伝導
  • 接合
  • 金属結晶の磁性
研究制度
  • 戦略的創造研究推進事業 CRESTタイプ、電子・光子等の機能制御/研究代表者 鈴木 義茂(独立行政法人産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門)/科学技術振興事業団
研究報告資料
  • 久保田 均,安藤 康夫,宮崎 照宣. Tunnel magnetoresistance measurement for ultra small junctions using conductive atomic force microscopy. The Second CREST Symposium on ''Function Evolution of Materials and Devices based on Electron/Photon Related Phenomena'',2001. p.162 - 162.

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