TOP > 研究報告検索 > 強相関電子系ペロブスカイト遷移金属酸化物による光エレクトロニクス

強相関電子系ペロブスカイト遷移金属酸化物による光エレクトロニクス

研究報告コード R013000343
掲載日 2003年10月1日
研究者
  • 花村 榮一
研究者所属機関
  • 千歳科学技術大学
研究機関
  • 千歳科学技術大学
報告名称 強相関電子系ペロブスカイト遷移金属酸化物による光エレクトロニクス
報告概要 ペロブスカイト型遷移金属酸化物は光エレクトロニクス材料として優れた特性をいくつか備えている。そこで,
(1)可視領域の大きな振動子強度を利用して,可視領域で波長を大きく変えられる新しいレーザー材料を開発しようとしている。元素の組み合わせやドーピングの程度など自由度が多く,最適化ができる。
(2)次に,電子やホールの高易動度を利用してLEDやLDを作る。
(3)さらにペロブスカイトや関連結晶の強い振動子強度を利用して,新規な非線形光学材料を手にすることもできる。
(4)最後に,半導体レーザーにおける両極をn型とp型の超伝導体に置き換える。
絶縁性反強磁性(AF)薄膜がこれらの超伝導電極でサンドイッチされると,電子とホールのCooper対が絶縁性AFに侵入できる。各Cooper対は空間的に重なるので,二つの光子が絶縁性AFでできた導波路の前と後から同時に放出される。こうして二つのコヒーレントな光パルスを作ることができる。それは光エレクトロニクスの新しいパラダイムを開くことになろう。
画像

※ 画像をクリックすると拡大します。

R013000343_01SUM.gif
研究分野
  • 量子光学一般
  • 非線形光学
  • 発光素子
研究制度
  • 戦略的創造研究推進事業 CRESTタイプ、電子・光子等の機能制御/研究代表者 花村 榮一(千歳科学技術大学光科学部)/科学技術振興事業団
研究報告資料
  • 花村 榮一. 強相関電子系ペロブスカイト遷移金属酸化物による光エレクトロニクス. The Second CREST Symposium on ''Function Evolution of Materials and Devices based on Electron/Photon Related Phenomena'',2001. p.188 - 189.

PAGE TOP