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三次元集積量子構造の形成と知能情報処理への応用

研究報告コード R030000023
掲載日 2005年3月18日
研究者
  • 廣瀬 全孝
研究者所属機関
  • 広島大学工学部
研究機関
  • 広島大学
報告名称 三次元集積量子構造の形成と知能情報処理への応用
報告概要 モノシラン(SiH4)の減圧CVDを用いて、SiO2膜上にSi量子ドットを自己組織化形成すると共に平均ドットサイズの制御手法を明らかにした。また、走査プローブ技術を用いて、SiO2表面を反応活性なSi-OH結合で局所的に終端させることによりSi量子ドットの形成位置制御に成功した。自己組織化形成Si量子ドットアレーをフローティングゲートとしてSiO2中に埋め込んだMOSFETを設計・作製し、ドット当り約1個の電子注入・保持によるメモリー動作を室温で確認した。結合量子ドット系における電子輸送理論を開発すると共に、量子デバイスによる情報処理の為の新システムアーキテクチャを提案し、室温でのシステム動作をシミュレーションにより確認した。
研究分野
  • 半導体薄膜
  • 情報処理一般
  • 固体デバイス製造技術一般
  • トランジスタ
研究制度
  • 戦略的基礎研究推進事業 研究領域「量子効果等の物理現象」 研究代表者 廣瀬 全孝
研究報告資料
  • 廣瀬 全孝. 量子効果等の物理現象 三次元集積量子構造の形成と知能情報処理への応用. 戦略的基礎研究推進事業 平成7年度 採択研究課題 研究終了報告書 概要版 2002. p.365 - 376.

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