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総合的な材料プロセス解析システムの開発と半導体製造への適用

研究報告コード R030000354
掲載日 2005年2月22日
研究者
  • 小林 金也
研究者所属機関
  • 株式会社日立製作所日立研究所
研究機関
  • (株)日立製作所
報告名称 総合的な材料プロセス解析システムの開発と半導体製造への適用
報告概要 半導体製造における主要プロセスであるエッチング、CVD(気相化学蒸着)、はんだプロセスでは、素過程からマクロ特性に亘って未知の現象が多く、これらを総合的に理解した開発が要求される。本研究では、これに対応する総合的な解析システムを開発した。すなわち、素過程・材料物性解析では、表面反応分子軌道計算用のEmbedded Cluster法プログラムを開発した。さらに、密度汎関数法により新規電極材のWとRuのラジカル反応を解析し、ナノデバイス候補である金属内包フラーレンの安定構造・電子状態の解析、及び高い超伝導転移温度を持つC60化合物を提案した。膜内構造の動的挙動解析では、Si、O、C、Hから構成される系で脱水反応を取り扱える動力学用ポテンシャルを設定し、層間絶縁膜SiO1.5(CH3)の膜改質機構を解析した。膜形成解析では、粒子モデル膜構造計算プログラム及びはんだなどの液滴形成を解析できるプログラムを開発した。
画像

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研究分野
  • 半導体の結晶成長
  • 半導体薄膜
  • 反応速度論・触媒一般
関連発表論文 (1) A. Sano and K. Kobayashi, “Investigation of Oxigen on Metal Surface by Embedded Cluster Model”, 2000 March Meeting Abstract of American Physical Society, p799.
(2) A. Ootake, and K. Kobayashi, “Investigation of Chemisorption O2 Molecules on Ru (0001) Surface by Density Functional Molecular Orbital Method”, 2001 March Meeting Abstract of American Physical Society.
研究制度
  • 計算科学技術活用型特定研究開発推進事業 物質・材料分野
研究報告資料
  • 小林 金也. 総合的な材料プロセス解析システムの開発と半導体製造への適用. 計算科学技術活用型 特定研究開発推進事業 平成10年度採択基本型 研究開発成果報告会 予稿集 ~計算で、見る・知る・予測する~ 2001. p.73 - 77.

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