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ナノスケールデバイス設計に向けたデジタルファクトリの構築

研究報告コード R030000358
掲載日 2005年2月22日
研究者
  • 丸泉 琢也
研究者所属機関
  • 株式会社日立製作所基礎研究所
研究機関
  • (株)日立製作所
報告名称 ナノスケールデバイス設計に向けたデジタルファクトリの構築
報告概要 本研究は、現行MOS(Metal Oxide Semiconductor)デバイスのブレークスルー、100nm~50nm寸法のナノスケールデバイス設計の基本技術開発を目的として、材料、デバイス構造、デバイス動作、及びデータベース機能についてプログラムの開発を進めるとともに極微細寸法MOSデバイスの先行評価を行い、次の成果を得た。(1)平面波基底、擬ポテンシャル利用のバンド計算プログラムを開発し、大規模系計算に向けた並列化を実施した。また、非平衡構造解析、電荷移動確率解析、結晶誘電率解析などのプログラムを開発した。(2)メゾ力学手法により実寸法デバイスの界面応力場と結晶転位を評価できるプログラムを開発した。(3)粒子モデルのデバイスシミュレータに絶縁膜界面における電荷欠陥の静電場解析機能や転位モデルを追加してプログラム機能向上を図るとともに、材料・デバイスの連成、複合解析を可能にした。この結果、デバイス劣化が(ストレス時間)1/2に従い劣化することを示すなど、材料レベルの解析からデバイス特性を直接誘導するシミュレーションの開発に成功した。
画像

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研究分野
  • 金属-絶縁体-半導体構造
  • 計算機シミュレーション
  • 固体デバイス材料
  • 半導体集積回路
研究制度
  • 計算科学技術活用型特定研究開発推進事業 物質・材料分野
研究報告資料
  • 丸泉 琢也. ナノスケールデバイス設計に向けたデジタルファクトリの構築. 計算科学技術活用型 特定研究開発推進事業 平成11・12年度採択課題 研究開発終了シンポジウム 予稿集 ~計算で、見る・知る・予測する~ 2003. p.8 - 14.

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