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1nmサイズ分子素子伝導物性およびその制御

研究報告コード R070000059
整理番号 R070000059
掲載日 2008年4月11日
研究者
  • 塚越 一仁
研究者所属機関
  • 独立行政法人理化学研究所低温物理研究室
研究機関
  • 独立行政法人理化学研究所低温物理研究室
報告名称 1nmサイズ分子素子伝導物性およびその制御
報告概要 導電性有機分子は設計自由度が高く合成が可能であり、次世代あるいはその次の世代の電子素子材料として可能性を秘めており、分子1つあるいは分子薄膜の電気伝導の探索が進められている。単分子素子は、サイズの小さな高エネルギー効率スイッチ素子へ探求が目的であり、現行型スイッチ素子の延長では実現が難しいと考えられる夢の未来情報世界へのステップとなっていくことが望まれている。実際に、現行の半導体素子は大手CPU製造会社さえも指摘しているとおり、シングル・ゲートのプレーナ型トランジスタ構造のリーク電流増大は近い将来原子炉並みの発熱密度になるという試算さえもなされている。このような状況に対して、当然様々な現行素子の発展研究がなされているが、分子スケール素子の挑戦もこの1つである。一方で、分子薄膜を半導体薄膜としてトランジスタを作製すると、その電界効果移動度はアモルファスシリコントランジスタの電界効果移動度以上に達し、フレキシブルエレクトロニクスヘの応用展開として、技術発展が強く必要とされている。これら2つの分子を使ったエレクトロニクス研究は、金属電極から分子に対して電子の出し入れの制御することが基本枝術であり、正確に電極構造を作製し電極間に分子を据えたうえで、電気伝導を評価することが必要である。現状は、これらの1つの基本技術へのアプローチに対して、分子エレクトロニクスと有機エレクトロニクスとしての別々のアプローチが進められているにとどまり、今後の発展には相互の技術展開が必要である。本研究では、この目的のために、単分子エレクトロニクスと有機エレクトロニクスの電極のナノメートルスケール界面制御の基礎を構築を進めた。
画像

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研究分野
  • 電気物性一般
関連発表論文 (1) K. Tsukagoshi, K. Shigeto. I. Yagi, and Y. Aoyagi, APL 89, 113507 (2006).
(2) K. Tsukagoshi, I. Yagi, K. Shigeto, K. Yamagisawa, J. Tanabe, and Y. Aoyagi, APL 87, 183502 (2005).
(3) I. Yagi, K. Tsukagoshi, and Y. Aoyagi, APL 86, 103501 (2005).
(4) I. Yagi, K. Tsukagoshi, and Y. Aoyagi, APL 84, 813 (2004).
(5) A. Yu. Kasumov, K. Tsukagoshi, M. Kawamura, T. Kobayashi, Y. Aoyagi, K. Senba, T. Kodama, H. Nishikawa, I. Ikemoto, K. Kikuchi, V. T. Volkov, Yu, A. Kasumov. R. Deblock, S. Gueron, and H. Bouchiat, PRB 72, 033414 rapid communication (2005).
(6) K. Tsukagoshi, The 2005 International Chemical Congress of Pacific Basin Societie, Honolulu, Hawaii, USA, December, 2005
研究制度
  • 戦略的創造研究推進事業 さきがけタイプ(旧若手個人研究推進事業を含む)/ナノと物性,光と制御
研究報告資料
  • 塚越 一仁. 1nmサイズ分子素子伝導物性およびその制御. 個人型研究(さきがけタイプ)ナノテクノロジー分野2領域合同研究報告会 講演要旨集 「ナノと物性」「光と制御」領域(研究期間2003-2006), 2006. p.26 - 27.

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