TOP > 研究報告検索 > 量子化されたナノ表面 低温STMでみるシリコン表面量子箱の中の電子波

量子化されたナノ表面 低温STMでみるシリコン表面量子箱の中の電子波

研究報告コード R990004043
掲載日 2001年2月6日
研究者
  • 横山 崇
研究者所属機関
  • 科学技術振興事業団 創造科学技術推進事業
研究機関
  • 科学技術振興事業団 創造科学技術推進事業
報告名称 量子化されたナノ表面 低温STMでみるシリコン表面量子箱の中の電子波
報告概要 Si(001)表面上に一次元Alダイマー鎖を配列させ,ポテンシャル障壁とすることによって,π*表面状態にある電子波をナノスケールに閉じ込める一次元量子箱を実現した。試料バイアス電圧を変化させることによって,閉じ込められた電子波の量子状態に対応する定在波
をSTM観察した。さらに,それらの量子状態のエネルギー固有値を,トンネル分光によって明らかにした。一次元量子箱の中心で得られたスペクトルは量子数nが奇数の固有値を示し,中心から1nm離れた場所ではnが偶数の固有値を示した。トンネルスペクトルの半値幅が0.2~0.4eVあり,量子箱に入った電子はフェムト秒の寿命をもつことが明らかになり,Alダイマー鎖で作った一次元量子箱は,Si(001)表面のπ*電子波を閉じ込めることが明らかになった。
画像

※ 画像をクリックすると拡大します。

R990004043_01SUM.gif
研究分野
  • 電子顕微鏡,イオン顕微鏡
  • 非金属元素とその化合物の結晶構造
  • 金属の表面構造
  • 半導体の表面構造
  • 半導体結晶の電子構造
関連発表論文 (1)T. Yokoyama, M. Okamoto, and K. Takayanagi, Electron Waves in the π* surface band of the Si(001) surface. Phys. Rev. Lett. 81, 3423 (1998).
(2)T. Yokoyama and K. Takayanagi, Size quantization of surface-state electrons on the Si(001) surface. Phys. Rev. B59, 12232 (1999).
研究制度
  • 創造科学技術推進事業、高柳粒子表面プロジェクト/科学技術振興事業団
研究報告資料
  • 横山 崇. 量子化されたナノ表面 低温STMでみるシリコン表面量子箱の中の電子波. 創造科学技術推進事業 高柳粒子表面プロジェクト シンポジウム概要集(研究期間:1994-1999),1999. p.51 - 52.

PAGE TOP