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Ⅳ族強磁性半導体の創製とそのスピンデバイスへの応用

研究報告コード R070000137
整理番号 R070000137
掲載日 2008年4月11日
研究者
  • 菅原 聡
研究者所属機関
  • 東京大学大学院工学系研究科電子工学専攻
研究機関
  • 東京大学大学院工学系研究科電子工学専攻
報告名称 Ⅳ族強磁性半導体の創製とそのスピンデバイスへの応用
報告概要 本研究課題は,近年注目を集めている"スピンエレクトロニクス"の概念を既存のシリコンテクノジーに融合させた新しい集積エレクトロニクスの展開を目指すものである.従来のエレクトロニクスでは用いられることのなかったキャリアの持つスピン自由度を積極的に利用した新概念のアーキテクチャに基づく集積回路を実現するため,本研究課題では①シリコンテクノロジーに整合しキャリアスピンの操作を可能とする新材料としてIV族強磁性半導体,②スピン依存伝導を制御できる能動集積デバイスとしてスピントランジスタ,③スピントランジスタによる新概念アーキテクチャに基づく高性能/高機能集積回路について研究を進めた.本研究課題で提案している材料・デバイス・集積回路はそれぞれ密接な繋がりを持って構成され,現行のシリコンテクノロジーおよび生かしつつキャリアのスピンといった自由度の導入でシステムの性能を飛躍的に向上させることを目的としている.
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研究分野
  • 磁性一般
関連発表論文 (1) S. Sugahara, "Spin Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors (Spin MOSFETs) for Spin-Electronic Integrated Circuits" submitted to IEE Proc Circuits, Device-Systems.
(2) S. Sugahara and M. Tanaka, "A Spin Metal-oxide-Semiconductor Field-effect Transistor Using Half-Metallic-Ferromagnet Contacts for the Source and Drain", Appl. Phys. Lett. 84 (2004) 2307.
(3) 菅原.”スピントランジスタ”,電子情報通信学会誌、投稿中.
(4) S. Sugahara and M. Tanaka, "Spin Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors (Spin MOSFETs) and their Integrated Circuit Applications" submitted to ACM Trans. on Storage.
(5) 菅原,"スピントランジスタとその集積エレクトロニクスへの応用". 応用物理学会スピンエレクトロニクス研究会, 東京, 2004.
(6) 菅原, 田中 "シリコンをベースとしたスピンエレクトロニクス"、第51回応用物理学関連連合学術講演会, 東京, 2004, 29p-ZK-6.
(7) S. Sugahara and M. Tanaka, "A Spin Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor (Spin MOSFET) Using a Ferromagnetic Semiconductor for the Channnel Region", 49thAnnual Conf. on Magnetism and Magnetic Materials (MMM04), Jacksonville, 2004, CR-04.
(8) S. Sugahara, K. L. Lee, T. Matsuno, and M. Tanaka, "Epitaxial Growth and Magnetic Properties of Si1-xMnx Thin Films", 2004 MRS Spring Meeting, San Francisco, 2004, G2.5.
研究制度
  • 戦略的創造研究推進事業 さきがけタイプ(旧若手個人研究推進事業を含む)/ナノと物性
研究報告資料
  • 菅原 聡. Ⅳ族強磁性半導体の創製とそのスピンデバイスへの応用. さきがけライブ2004 ナノテクノロジー分野4領域合同研究報告会 ~ナノテクをさきがける~ 「ナノと物性」領域 講演要旨集(研究期間2001-2004), 2005. p.12 - 13.

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