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走査トンネル顕微鏡探針からの電界放出電子を用いた表面微小構造解析法の開発

研究報告コード R070000142
整理番号 R070000142
掲載日 2008年4月11日
研究者
  • 水野 清義
研究者所属機関
  • 九州大学大学院総合理工学研究院
研究機関
  • 九州大学大学院総合理工学研究院
報告名称 走査トンネル顕微鏡探針からの電界放出電子を用いた表面微小構造解析法の開発
報告概要 ナノ材料の物性を理解し、新しい機能の発現につなげるためには、その構成原子の種類と位置を3次元的に決定する必要がある。本研究では、走査トンネル顕微鏡探針からの電界放出電子線を用いて、表面微小領域に低速電子線を照射し、そこからの回折パターンを測定する手法の開発を目標としている。これにより、ナノ材料の物性を原子一個一個の構造をふまえて評価できるようにし、新材料の開発に役立てたい。
画像

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研究分野
  • 顕微鏡法
関連発表論文 (1) Extraction of scattered low-energy electrons in field emission conditions S. Mizuno, J. Fukuda and H. Tochihara: Surf. Sci 514 (2002) 291-297.
(2) Structural determination of indium-induced Si(111) reconstructed surfaces by LEED analysis: (root3 x root3)R30deg and (4x1) S.Mizuno, Y. O. Mizuno and H. Tochihara: Phys. Rev. B67 (2003) 195410-1-8.
(3) Scattering patterns and energy distribution of the scattered electrons under field emission condition of scanning tunneling microscopy S. Mizuno, J. fukuda, M. Iwanaga and H. Tochihara, Jpn. J. Appl. Phys. 43 (2004) 5501-5505.
(4) Structure determination of Si(001)-c(4x2) surfaces at 80 K and electron beam effect below 40 K, studied by low-energy electron diffraction S. Mizuno, T. Shirasawa, Y. Shiraishi and H. Tochihara, Phys. Rev. B69 (2004) 241306 (R).
(5) Ground state of the Si(001) surface revisited - is seeing believing? T. Uda, H. Shigekawa, Y. Sugawara, S. Mizuno, H. Tochihara, Y. Yamashita, J. Yoshinobu, K. Nakatsuji, H. Kawai and F. Komori: Prog. Surf. Sci, 76 (2004) 147-162.
研究制度
  • 戦略的創造研究推進事業 さきがけタイプ(旧若手個人研究推進事業を含む)/ナノと物性
研究報告資料
  • 水野 清義. 走査トンネル顕微鏡探針からの電界放出電子を用いた表面微小構造解析法の開発. さきがけライブ2004 ナノテクノロジー分野4領域合同研究報告会 ~ナノテクをさきがける~ 「ナノと物性」領域 講演要旨集(研究期間2001-2004), 2005. p.22 - 23.

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