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副格子交換へテロ構造半導体の高度制御

研究報告コード R070000256
整理番号 R070000256
掲載日 2008年4月11日
研究者
  • 近藤 高志
研究者所属機関
  • 東京大学大学院工学系研究科
研究機関
  • 東京大学大学院工学系研究科
報告名称 副格子交換へテロ構造半導体の高度制御
報告概要 GaAsに代表される閃亜鉛鉱構造を有する化合物半導体は高い光学的非線形性を有し,2次の非線形光学効果を用いた非線形光学デバイスの材料として有望である。我々はこれまで,化合物半導体を用いた疑似位相整合(QPM)非線形光学デバイスの実用化に不可欠な周期空間反転ヘテロ構造の作製法である副格子交換エピタキシー技術を独自に開発し,GaAs系副格子交換技術をベースとして導波路型波長変換デバイスへの適用を目指して研究を進めてきた。本研究では,副格子交換ヘテロ構造半導体を用いだQPM非線形光学デバイスの実用化を見据えて,実用デバイス作製プロセスの碁盤技術としての副格子交換エピタキシー法の高度化を図り,汎用の技術としてその一般性をより高めることを目的とした。具体的には,高効率導波路デバイス作製に必要な再成長過程の最適化,GaAs基板以外への拡張に取り組むとともに,この手法と微細加工・再成長法とを組み合わせて作製した導波路デバイスにおける波長変換特性の基礎評価をおこない,半導体QPM非線形光学デバイスという新規分野の発展の基礎を築いた。
画像

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研究分野
  • 固体デバイス製造技術一般
  • 半導体の結晶成長
  • 13‐15族化合物を含む半導体-半導体接合
関連発表論文 (1) H. Tachibana,T. Matsushita, K. Ara, and T. Kondo: "Quasi-Phase-Matched Parametric Fluorescence in Periodically Invertcd CaAs Waveguides," Tech. Dig. Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO2003), CMA6 (2003).
(2) T. Yamamura, T. Matsushita, T. Koitabashi and T. Kondo: "Influence of Anisotropic Diffusion of Ga Atoms on GaAs Growth on Alternately Inverted (100) Substrates." Jpn. J. Appl. Phys., 44, L1397-1399 (2005).
(3) 近藤高志:“分極反転デバイスの基礎と応用”(分担執筆,宮澤信太郎・栗村直監修)(オプトロニクス社,2005)「半導体材料」pp.214-226.
研究制度
  • 戦略的創造研究推進事業 さきがけタイプ(旧若手個人研究推進事業を含む)/秩序と物性,ナノと物性,光と制御
研究報告資料
  • 近藤 高志. 副格子交換へテロ構造半導体の高度制御. ナノテクノロジー分野3領域合同研究報告会 講演要旨集 「秩序と物性」「ナノと物性」「光と制御」領域 (研究期間:2002-2005), 2006 . p.12 - 13.

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