TOP > 研究報告検索 > ナノ強磁性半導体におけるスピン注入磁化反転の研究

ナノ強磁性半導体におけるスピン注入磁化反転の研究

研究報告コード R070000260
整理番号 R070000260
掲載日 2008年4月11日
研究者
  • 大岩 顕
研究者所属機関
  • 東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻
研究機関
  • 東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻
報告名称 ナノ強磁性半導体におけるスピン注入磁化反転の研究
報告概要 強磁性体はスピン偏極状態と不揮発牲や相反性といった性質のためスピントロニクスでは欠くことのできない材料である。またIII-V族強磁性半導体は、III-V族化合物半導体に遷移金属などの磁性元素を添加した強磁性材料で、キャリアを介して強磁性が発現するキャリア誘起磁性という興味深い特徴を備える。この物質系は、光や電界による強磁性秩序の制御が実現されており、従来の半導体素子との整合性も良いことから、やはりスピントロニクスにおいて重要である。ところで強磁性体の磁化方向を利用した不揮発メモリーやトランジスタなどは磁化の制御に外部磁場を要するが、磁場を使わない磁化反転の実現は物理的にも、消費電力化や集積化の観点からも重要な課題である。本研究課題では、強磁性半導体の磁化方向を光学・電気的な手法により、キャリア誘起強磁性の性質を利用して制御することを目指した。
画像

※ 画像をクリックすると拡大します。

R070000260_01SUM.gif R070000260_02SUM.gif
研究分野
  • 無機化合物の磁性
  • 半導体結晶の電気伝導
関連発表論文 (1) Photoinduced magenetization rotation and precessional motion of magnetization in ferromagnetic (Ga,Mn) As, A. Oiwa, H. Takechi, and H. Munekata, J. Superconductivity Incorporating Novel Magnetism 18, 9 (2005).
(2) Current-Induced Magnetization Reversal in a (Ga,Mn)As-Based Magnetic Tunnel Junction, R. Moriya, K. Hamaya, A. Oiwa, and H. Munekata. Jpn. J. Appl. Phys., 43, L825 (2004).
(3) Dynamics of photoinduced magnetization rotation in ferromagnetic semiconductor p-(Ga,Mn)As, Y. Mitsumori, A. Oiwa, T. Slupinski, H. Maruki, Y. Kashimura, F. Minami, and H. Munekata, Phys. Rev. B 69, 033203(2004).
(4) Optical charge and spin injection in (Ga,Mn)As, A. Oiwa, CIMTEC 2006 (Sicily, Italy) June 4-9, 2006.
(5) III-V族強磁性半導体における光誘起スピンダイナミクス,大岩顕,三森康義,宗片比呂夫,2004年日本物理学会秋季大会 領域3・4・5合同シンポジウム(青森大学,青森)平成16年9月12日-15日,2004年
研究制度
  • 戦略的創造研究推進事業 さきがけタイプ(旧若手個人研究推進事業を含む)/秩序と物性,ナノと物性,光と制御
研究報告資料
  • 大岩 顕. ナノ強磁性半導体におけるスピン注入磁化反転の研究. ナノテクノロジー分野3領域合同研究報告会 講演要旨集 「秩序と物性」「ナノと物性」「光と制御」領域 (研究期間:2002-2005), 2006 . p.20 - 21.

PAGE TOP