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誘起構造を調べる 2 誘起構造シミュレーション 2.2 DV-Xαによる非晶質SiO2の電子(部分)状態密度

研究報告コード R990004076
掲載日 2001年2月6日
研究者
  • 牧野 至洋
研究者所属機関
  • 科学技術振興事業団 創造科学技術推進事業
研究機関
  • 科学技術振興事業団 創造科学技術推進事業
報告名称 誘起構造を調べる 2 誘起構造シミュレーション 2.2 DV-Xαによる非晶質SiO2の電子(部分)状態密度
報告概要 従来ガラス構造中では第二次高調波は発生しないと考えられていたが,現在はガラス中で観測されている。この現象の理論的説明及び効率的に第二次高調波を発生する材料の設計が,現在の目標であり,そのために,まず,実験的に第二次高調波が発生している状態を計算機中に実現し,電子配置,電子構造の解明を試みた。アモルファス状態の電子構造を求めるために,分子動力学法プログラムMXDORTOを使って,室温のアモルファスガラスを求めた(図1)。分子軌道法プログラムDV-Xαを使って電子構造計算を行った。MXDORTOとDV-Xαついて簡単に説明し,電磁場をかけて誘起構造を作る前のガラス構造の計算を入念に行った。計算過程(溶融状態,冷却過程,緩和過程,分子軌道法とマーデルングポテンシャル)について述べた。各原子軌道から計算した価電子は表1のようになった。図2に中心のSi原子とそのまわりの4つのO原子から得られた状態密度と部分状態密度(SiO2組成)を示した。
画像

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研究分野
  • 非線形光学
  • 分子の電子構造
  • 非晶質の電子構造一般
  • ガラスの性質・分析・試験
研究制度
  • 創造科学技術推進事業、平尾誘起構造プロジェクト/科学技術振興事業団
研究報告資料
  • 牧野 至洋. 誘起構造を調べる 2 誘起構造シミュレーション 2.2 DV-Xαによる非晶質SiO2の電子(部分)状態密度. 創造科学技術推進事業 平尾誘起構造プロジェクトHirao Active Glass Project NEWS(研究期間:1994-1999) '99.8 Final. p.131 - 135.

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