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誘起構造を調べる 2 誘起構造シミュレーション 2.3 非晶質SiO2における電場誘起構造のシミュレーション

研究報告コード R990004077
掲載日 2001年2月6日
研究者
  • 牧野 至洋
研究者所属機関
  • 科学技術振興事業団 創造科学技術推進事業
研究機関
  • 科学技術振興事業団 創造科学技術推進事業
報告名称 誘起構造を調べる 2 誘起構造シミュレーション 2.3 非晶質SiO2における電場誘起構造のシミュレーション
報告概要 通常のシリカガラスよりも強い第二次高調波を発生するという事実を受け,Geドープシリカガラスの電子構造を求めた。次のようにしてアモルファスSiO2ガラスにGeをドープした。
1)(Si27O72)36-の中心のSi原子をGe原子と入れ換え,
2)切り出したクラスタをもとのセルに戻し,
3)分子動力学法MXDORTOを使って500Kまで加熱・緩和,1000Kまで加熱・緩和,
4)同じく300Kまで冷却・緩和・冷却を繰り返した。
クラスタに最大~10MV/cmの平衡電場を掛け,電子構造の変化を見た。純粋なシリカガラスより強い第二次高調波を生むGeドープガラスの方が,大きな電荷雲の歪を示していた。電場による状態密度の変化はほとんど見られないが,わずかにO-2p軌道に由来する変化が見られた。Ge-4p軌道の変化も大きいことから,第二次高調波を生む軌道の候補としてp軌道(特に,アモルファスSiO2での第二次高調波発生を考えるとO-2p軌道)が,主に関与している可能性が高いと思われた。
画像

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研究分野
  • 非線形光学
  • 分子の電子構造
  • 非晶質の電子構造一般
  • 電気光学効果,磁気光学効果
  • ガラスの性質・分析・試験
研究制度
  • 創造科学技術推進事業、平尾誘起構造プロジェクト/科学技術振興事業団
研究報告資料
  • 牧野 至洋. 誘起構造を調べる 2 誘起構造シミュレーション 2.3 非晶質SiO2における電場誘起構造のシミュレーション. 創造科学技術推進事業 平尾誘起構造プロジェクトHirao Active Glass Project NEWS(研究期間:1994-1999) '99.8 Final. p.135 - 138.

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