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セラミックス接合原子素過程と支配因子 Si基セラミックス反応性濡れのダイナミックス

研究報告コード R990003805
掲載日 2001年2月6日
研究者
  • 野村 正裕
研究者所属機関
  • 科学技術振興事業団 創造科学技術推進事業
研究機関
  • 科学技術振興事業団 創造科学技術推進事業
報告名称 セラミックス接合原子素過程と支配因子 Si基セラミックス反応性濡れのダイナミックス
報告概要 界面制御を行うには、界面の生成過程の理解が重要であるが、従来の研究は、接合体界面等の「反応後、十分に時間が経過した界面」の研究であり、これらの結果からは界面生成過程を論ずることは困難であった。そこで、反応界面が生じる濡れ三重点に注目した。濡れ三重点近傍の組織は、「界面生成時の界面」の状態を示していると予測されるからである。本論は、濡れ三重点の構造を Ag-Cu-Ti/Si3N4 および Ag-Cu-Ti/SiC 系で観察した。いずれの系においても Ag-Cu-Ti 合金に先行した2層の反応生成物が見られ、Si3N4 系では TiN と Ti5Si3、SiC 系では TiC と Ti5Si3 で構成されるていた。Si3N4 系では濡れ時間の増加により先行化合物層の再先端構造が変化するのに対し、SiC系 では変化が見られなかった ことを示した。
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研究分野
  • 半導体の結晶成長
  • 半導体薄膜
  • 固-気界面一般
  • 固体デバイス材料
関連発表論文 (1)M. Nomura, C. Iwamoto and S.-I. Tanaka, Acta Mater., 1999, 47, 407.
(2)M. Nomura, T. Ichimori, C. Iwamoto and S.-I. Tanaka, J. Mater. Sci., accepted.
研究制度
  • 創造科学技術推進事業、田中固体融合プロジェクト/科学技術振興事業団
研究報告資料
  • 野村 正裕. セラミックス接合原子素過程と支配因子 Si基セラミックス反応性濡れのダイナミックス. 創造科学技術推進事業 田中固体融合プロジェクトシンポジウム報告資料(研究期間:1993-1998),1998. p.28 - 33.

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