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量子効果等の物理現象 ナノ構造磁性半導体の巨大磁気光学機能の創出

研究報告コード R990004250
掲載日 2001年2月6日
研究者
  • 岡 泰夫
研究者所属機関
  • 東北大学多元物質科学研究所(旧科学計測研究所)
研究機関
  • 東北大学科学計測研究所
報告名称 量子効果等の物理現象 ナノ構造磁性半導体の巨大磁気光学機能の創出
報告概要 本研究は,磁性イオンを含む磁性半導体のナノ構造を設計・製作し,次元性を十分に制御したナノ構造により発現される巨大磁気光学機能を創出することを目的とする。このためCd1-xMnxTe,Cd1-XMnxSe,Zn1-xMnxSeなどをベースとした磁性半導体の量子井戸,量子細線,量子ドットを設計し,分子線エピタキシー法と電子線ビーム超微細加工により作製し,原子レベルで制御した高い結晶性を持つ磁性半導体ナノ構造の作製を可能にした。1998年度には,これらのナノ構造について,電子状態の量子閉じ込め効果,巨大磁気光学効果,および超高速電子緩和現象に関する特色ある新しい知見を得ることができ,磁性半導体ナノ構造の磁気光学機能性を創出した。今後リソグラフィー法による量子ドット列,量子ドットと細線の結合などのさらに新しいナノ構造磁性半導体の創製を行い,“ナノ構造巨大磁気光学デバイス”の基礎と応用性を確立する。
研究分野
  • 半導体結晶の電子構造
  • 無機化合物の磁性
  • 半導体のルミネセンス
  • 固体デバイス製造技術一般
  • 半導体薄膜
関連発表論文 (1)J.X. Shen, Y. Oka, W. Ossau, F. Fisher, A. Waag, and G. Landwehr, Difference of Self-Energy Corrections for Charged and Uncharged States in Degenerate Two Dimensional Systems, Physica B 249/251, 589-593(1998)
(2)Y. Oka, K. Yanata, S. Takano, K. Egawa, K. Matsui, M. Takahashi, and H. Okamoto, Exciton Dynamics in Diluted Magnetic II-VI Semiconductor Nanostructures, J. Crystal Growth 184/185, 926-930(1998)
(3)Y. Oka, K. Yanata, H. Okamoto, M. Takahashi, J.X. Shen, K. Egawa, S. Takano, and K. Matsui, Giant Magneto-Optical Effects in Diluted Magnetic Semiconductor Nanostructures Solid State Electronics 42, 1267-1271(1998)
(4)J.X. Shen, Y. Oka, W. Ossau, G. Landwehr, K.-J. Friedland, R. Hey, K. Ploog, and G. Weimann, Vertical Transport of Photo-Excited Carriers for Excitonic Recombinations in Modulation Doped GaAs/Ga1-xAlxAs Heterojunctions, Solid State Commun. 106, 495-499(1998)
(5)J.R. Anderson, M. Gorska, J.Y. Jen, J. Kossut, Y. Oka, and M. Sakai, Exciton Confinement in III-V Quantum-Well Structures: Role of Magnetic Fields Novel Materials Design and Properties, eds B.K. Rao and S.N. Behera, (Nova Science Publishers Inc., 1998)pp.161-174
(6)Y. Oka, H. Okamto, K. Yanata, and M. Takahashi, Nanostructure Semimagnetic Semiconductors (Chapter 10) Mesoscopic Materials and Clusters (Kodansha/Springer, Eds. T. Arai et al. 1999) pp.101-112
(7)7. J.X. Shen, Y. Oka, H.H. Cheng, F.Y. Tsai, C.P. Lee, Exciton Relaxation in Ga1-xInxAs/GaAs Self-Organized Quantum Dots, Superlattices and Microstructures 25, 131-136(1999)
(8)M.C. Debnath, I. Souma, E. Shirado, T. Sato, J.X. Shen, and Y. Oka, Excitonic Magnetic Polaron Dynamics of MBE Grown CdTe/Cd1-xMnxTe, Cd1-xMnxTe/Cd1-yMgyTe Single Quantum Wells in Magnetic Fields, Superlattices and Microstructures 25, 383-388(1999)
(9)H. Mitsu, K. Egawa, M.C. Debnath, J.X. Shen, Y. Oka, Observation of Excitonic Magnetic Polaron Formation in Cd1-xMnxTe Quantum Wells by Selectively Excited Ultrafast Time-Resolved Luminescence and Absorption Spectroscopies, Excitonic Processes in Condensed Matter, EXCON '98 (The Electrochemical Society Inc. 1999)204-209
(10)R. Pittini, H. Mitsu, M. Takahashi, J.X. Shen, and Y. Oka, Optical and Magneto-Optical Transient Absorption Measurements in Cd1-xMnxTe/ZnTe and Cd1-xZnxTe/ZnTe Multiquantum Wells, Excitonic Processes in Condensed Matter, EXCON '98 (The Electrochemical Society Inc. 1999)210-215
(11)R. Pittini, H. Mitsu, M. Takahashi, J.X. Shen, and Y. Oka, Exciton Dynamics in Modulation Doped Heterojunctions, Excitonic Processes in Condensed Matter, EXCON '98 (The Electrochemical Society Inc. 1999)234-239
(12)J.X. Shen, Y. Oka, C.Y. Hu, W. Ossau, G. Landwehr, K-J. Friedland, R. Hey, K. Ploog, and G. Weimann, Photoluminescence in Modulation-doped GaAs/Ga1-xAlxAs Heterojunctions, Phys. Rev. B59, 8093-8104(1999)
(13)R. Pittini, H. Mitsu, M. Takahashi, J.X. Shen, Y. Oka, Time Resolved Magneto-Optical Spectroscopy in Cd1-xMnxTe/ZnTe Multiquantum Wells, J. Appl. Phys. 85, 5938-5340(1999)
(14)M.C. Debnath, I. Souma, E. Shirado, H. Mitsu, T. Sato, J.X. Shen, and Y. Oka, Dynamics of Photoexcited Carriers in MBE grown Semimagnetic Epilayers in Magnetic Fields, J. Appl. Phys. 85, 5941-5943(1999)
(15)J.X. Shen, Y. Oka, W. Ossau, F. Fisher, A. Waag, and G. Landwehr, Enlarged Paramagnetism by Electron-Electron Exchange Interactions in n-type Modulation Doped (CdMn)Te/(CdMnMg)Te Single Quantum Wells, J. Appl. Phys. 85, 5947-5949(1999)
(16)F.Y. TsaI, C.P. Lee, J.X. Shen, Y. Oka, and H.H. Cheng, Time-resolved Photoluminescence Study of InGaAs/GaAs Quantum Wells on (111)B GaAs Substrates, Microelectronics Journal 30, 367-371(1999)
研究制度
  • 戦略的基礎研究推進事業、研究領域「量子効果等の物理現象」研究代表者 岡 泰夫(東北大学科学計測研究所)/科学技術振興事業団
研究報告資料
  • 岡 泰夫. 量子効果等の物理現象 ナノ構造磁性半導体の巨大磁気光学機能の創出. 戦略的基礎研究推進事業 平成10年度 研究年報,1999. p.259 - 263.

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