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半導体界面のナノ構造 Si界面における電位障壁構造の実測と制御

研究報告コード R990003808
掲載日 2001年2月6日
研究者
  • 角谷 透
研究者所属機関
  • 科学技術振興事業団 創造科学技術推進事業
研究機関
  • 科学技術振興事業団 創造科学技術推進事業
報告名称 半導体界面のナノ構造 Si界面における電位障壁構造の実測と制御
報告概要 界面の電子物性を探る手法として、弾道電子放射顕微鏡(BEEM:Ballistic Electron Emission Microscopy)が提案されている。本研究では、試料作成からBEEM測定までの全てを超高真空中で行う技術の開発と、それを用いた半導体ヘテロ界面の電位障壁ナノ構造の実測/制御について研究した。特にAu/フッ化カルシウム(CaF2)/シリコン(Si)構造において、フッ化カルシウム層を制御することにより、界面電子物性の異なる二種類の領域をナノメートルのレベルで形成できることを見出し、フッ化カルシウム層の構造と界面電子物性の関係を明らかにした。本報告では、試料作成からBEEMまでの全てを超真空中で行うことができる超高真空弾道電子放射顕微鏡(UHV-BEEM)の開発とそれに用いた Au/Si(111) および Au/フッ化カルシウム(CaF2)/Si(111) 界面の研究成果について述べ、今後のBEEM研究について考察した。
画像

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研究分野
  • 電子顕微鏡,イオン顕微鏡
  • 金属の結晶成長
  • 半導体の結晶成長
  • 金属の表面構造
  • 半導体の表面構造
  • 固体デバイス材料
関連発表論文 (1)T. Sumiya, T. Miura, H. Fujinuma and S.-I. Tanaka, Appl. Surf. Sci., 117/118, 329 (1997).
(2)T. Miura, T. Sumiya, H. Fujinuma and S.-I. Tanaka, 真空, 40, 266 (1997).
(3)T. Sumiya, T. Miura, S.-I. Tanaka, Surf. Sci., 357/358, 896 (1996).
(4)T. Sumiya, T. Miura and S.-I. Tanaka, Jpn. J. Appl.Phys., 34, L1383 (1995).
(5)T. Sumiya, T. Miura, H. Fujinuma and S.-I. Tanaka, Jpn. J. Appl. Phys., 35, L1077 (1996).
(6)T. Sumiya, T. Miura, H. Fujinuma and S.-I. Tanaka, Surf. Sci., 376, 192 (1997).
(7)T. Sumiya, H. Fujinuma, T. Miura and S.-I. Tanaka, Jpn. J. Appl. Phys., 36, L996 (1997).
(8)T. Sumiya, T. Miura and S.-I. Tanaka, Tecnical Report of IEICE, ED97-78, 21 (1997).
(9)T. Sumiya, T. Miura and S.-I. Tanaka, Appl. Surf. Sci., 130/132, 36 (1998).
(10)T. Sumiya, T. Miura and S.-I. Tanaka, J. Vac. Sci. Technol., A16, 2653 (1998).
(11)T. Sumiya, K. Honnda, T. Miura and S.-I. Tanaka, J. Appl. Phys., submitted.
研究制度
  • 創造科学技術推進事業、田中固体融合プロジェクト/科学技術振興事業団
研究報告資料
  • 角谷 透. 半導体界面のナノ構造 Si界面における電位障壁構造の実測と制御. 創造科学技術推進事業 田中固体融合プロジェクトシンポジウム報告資料(研究期間:1993-1998),1998. p.51 - 65.

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