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電子・光子等の機能制御 相関エレクトロニクス

研究報告コード R990004294
掲載日 2001年2月6日
研究者
  • 平山 祥郎
研究者所属機関
  • 日本電信電話(株)物性科学基礎研究所
研究機関
  • 日本電信電話(株)物性科学基礎研究所
報告名称 電子・光子等の機能制御 相関エレクトロニクス
報告概要 キャリア相関を明確に測定するために必要な半導体構造の基礎的検討,測定装置の設計を行った。薄膜構造においてノンドープヘテロ構造中に高品質キャリアを導く手法を確立した。バックゲートでノンドープヘテロ構造中にキャリアを蓄積する構造を検討し,低密度まで高移動度の二次元電子ガスが実現できた。単一の縦型ドット構造について量子ホール効果領域に相当する強磁場領域でのドット内電子の相互作用を調べ,磁場を強くするにつれ,スピンフリップ領域から,全ての電子のスピンが揃う最大密度液滴(MDD)領域,そしてMDDの破壊と変化した。室温で用いられているSNOM等のナノプローブの低温,極低温で作動するシステムへの拡張を検討した。また光を用いた高速測定について,キャリア相関の測定の予備実験を始めた。
研究分野
  • 半導体薄膜
  • 超伝導材料
  • Josephson接合・素子
  • 固体デバイス製造技術一般
  • 光電デバイス一般
研究制度
  • 戦略的基礎研究推進事業、研究領域「電子・光子等の機能制御」研究代表者 平山 祥郎(日本電信電話(株)物性科学基礎研究所)/科学技術振興事業団
研究報告資料
  • 平山 祥郎. 電子・光子等の機能制御 相関エレクトロニクス. 戦略的基礎研究推進事業 平成10年度 研究年報,1999. p.547 - 549.

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