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固体表面反応シミュレーションとその実証 5 ハロゲンおよび金属が吸着したSi(001)2×1表面の電子状態シミュレーションとSTM/STS(Scanning Tunneling Microscopy/Scanning Tunneling Spectros

研究報告コード R990004381
掲載日 2001年2月6日
報告名称 固体表面反応シミュレーションとその実証 5 ハロゲンおよび金属が吸着したSi(001)2×1表面の電子状態シミュレーションとSTM/STS(Scanning Tunneling Microscopy/Scanning Tunneling Spectros
報告概要 固体表面での反応素過程や吸着元素の違いによる電子状態の変化を解明するためには,第一原理分子動力学シミュレーションとSTM/STS(走査トンネル顕微鏡法/分光法)よる計測が重要である。本研究では,固体表面電子状態シミュレーションとそのSTM/STS計測結果に基づき,ハロゲンガスを用いた超精密加工法における加工原理の解明,及び極微量元素分析法の確立を試み次の結果を得た。
1)F2,Cl2分子はSi(001)非対称ダイマー表面のシリコンダイマー上で解離吸着し,F2,Cl2分子が解離吸着したシリコンダイマーは水平になった,
2)Si(001)p(2×2)表面のバイアス電圧を変えたSTM像は価電子帯側ではシリコンダイマーの上側の原子だけが観察され,伝導帯側ではシリコンダイマーの下側の原子が上側の原子に比べて明るく観察された。また,
3)Si(001)2×1表面にAlやCuが吸着した時の局所状態密度はそれぞれの場合に異なった特徴を持つことを計算結果と実験結果から示し,極微量元素分析法の可能性を考察した。
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研究分野
  • 原子とラジカルの反応
  • 吸着,イオン交換
  • 固体デバイス製造技術一般
  • 界面化学一般
  • 結晶結合
  • 計算機シミュレーション
研究制度
  • 共同研究等促進事業、兵庫県「固体表面の電子状態シミュレーションとソフト加工による実証」/科学技術振興事業団
研究報告資料
  • . . 共同研究等促進事業 兵庫県「固体表面の電子状態シミュレーションとソフト加工による実証」終了報告書,1999. p.B145 - B185.

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