TOP > 研究報告検索 > 超精密加工・成膜システムの開発 3 大気圧プラズマCVD(Chemical Vapor Deposition)による高速成膜

超精密加工・成膜システムの開発 3 大気圧プラズマCVD(Chemical Vapor Deposition)による高速成膜

研究報告コード R990004385
掲載日 2001年2月6日
報告名称 超精密加工・成膜システムの開発 3 大気圧プラズマCVD(Chemical Vapor Deposition)による高速成膜
報告概要 大気圧プラズマCVD(Chemical Vapor Deposition)法には成膜速度向上の面で電極の熱損傷,及びパーティクル大量発生等の問題があり膜質劣化の恐れが在る。本研究では高速回転電極を用いて前記問題点を解決し,1)X線ミラー用a-SiC高速(目標成膜速度0.1μm/s)成膜技術・同装置,2)太陽電池用a-Si(アモルファスシリコン)高速(目標成膜速度1μm/s)成膜技術・同装置の研究開発(日本ピラー工業)を試み次の結果を得た。
1)X線ミラー用a-SiC高速成膜では原料ガス濃度,及び投入電力の増加によりmax90nm/sの成膜速度を達成できた,
2)a-SiC膜中のSi-C結合を赤外吸収分光分析で確認した,3)反応ガス比等の成膜条件を把握できた,
4)太陽電池用a-Si高速成膜では基板温度200℃で均質断面構造のa-Si膜を形成できた,
5)SiH4濃度5%,H2濃度1%,投入電力2000Wで成膜速度max1.6μm/sを達成できた,
6)ガス循環量1300l/min,電極回転数5000rpm,成膜ギャップ300μmでパーティクル付着を抑制できた。
画像

※ 画像をクリックすると拡大します。

R990004385_01SUM.gif R990004385_02SUM.gif R990004385_03SUM.gif
研究分野
  • 太陽電池
  • 電気化学的操作・装置一般
  • 固体デバイス製造技術一般
  • 薄膜成長技術・装置
  • 非晶質半導体の構造
研究制度
  • 共同研究等促進事業、兵庫県「固体表面の電子状態シミュレーションとソフト加工による実証」/科学技術振興事業団
研究報告資料
  • . 超精密加工・成膜システムの開発 3 大気圧プラズマCVD(Chemical Vapor Deposition)による高速成膜. 共同研究等促進事業 兵庫県「固体表面の電子状態シミュレーションとソフト加工による実証」終了報告書,1999. p.B429 - B480.

PAGE TOP