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スクイーズ状態生成のためのTJS半導体レーザ

研究報告コード R000000029
掲載日 2002年9月30日
研究者
  • 森田 剛徳
  • S. Lathi
  • 井上 修一郎
  • 田中 和典
  • 菅 博文
研究者所属機関
  • 浜松フォトニクス(株)中央研究所 材料研究室
  • 科学技術振興事業団 創造科学技術推進事業
  • 日本大学理工学部原子力研究所
  • 浜松ホトニクス(株)中央研究所材料研究室
  • 浜松ホトニクス(株)中央研究所
研究機関
  • 科学技術振興事業団 創造科学技術推進事業
報告名称 スクイーズ状態生成のためのTJS半導体レーザ
報告概要 高インピーダンス定電流源で駆動される半導体レーザはしきい値電流のはるか上でバイアスすると,ショット雑音以下に強度雑音を低下する。しかし,モード分配雑音によりスクイーズ状態を発生するレーザはほとんどない。高水準スクイーズ光の発生のための横接合ストライプ(TJS)レーザの最適化を行った。TJSレーザは二段階Zn拡散過程で作られるp+-p-n構造を有する。過程は,活性層の厚さが約0.1μm以下であると,活性及びクラッド層の相互混晶をもたらす。相互混晶は層間の界面を劣化させ,レーザの特性に影響を与える。相互混晶は層中のSi濃度で影響される。相互混晶は抑制され,TJSレーザは良い特性,低いしきい値,及び高い効率を示した。強度雑音は80Kで二重バランスホモダイン検出法で測定された。レーザは200μmのキャビティ長を有した。レーザに圧縮応力を誘起し,TMモードゲインを抑制するために,レーザチップは銅ブロックに直接取りつけられた。しきい値の約20倍の注入電流で2.8dBのスクイージングを観測した。これはレーザ端面で4.5dBのスクイージングに相当する。
研究分野
  • 量子光学一般
  • 半導体レーザ
  • 雑音測定
関連発表論文 (1)S.Lathi,K.tanaka,T.Morita,H.Kan, and Y.Yamamoto, IEEE J.Quantum Electron. 35,387(1999).
研究制度
  • 創造科学技術推進事業、山本量子ゆらぎプロジェクト/科学技術振興事業団
研究報告資料
  • 田中 和典,森田 剛徳,井上 修一郎,S. Lathi,菅 博文. TJS SEMICONDUCTOR LASERS FOR SQUEEZED STATE GENERATION. 創造科学技術推進事業 山本量子ゆらぎプロジェクトAbstracts of the International Symposium on Quantum Optics and Mesoscopic Physics. NTT Basic Research Laboratories and Yamamoto Quantum Fluctuation Project, ERATO, JST(研究期間:1993-1998), 1998. p.35 - 35.

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