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量子点の自己形成技術と光デバイス応用

研究報告コード R000000053
掲載日 2002年9月30日
研究者
  • 西 研一
  • 任 紅文
研究者所属機関
  • 日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部
  • Applide Optoelectronics Incorporation(AOI)
研究機関
  • 科学技術振興事業団 創造科学技術推進事業
報告名称 量子点の自己形成技術と光デバイス応用
報告概要 単原子層膜厚以下の制御性で,半導体結晶成長を行うことができる分子線エピタキシー法は,量子箱など半導体量子点を作製する際に有効な手段である。実際の半導体デバイスへ量子点を応用することも可能である。分子線エピタキシーによる量子点形成技術について,形状など構造制御手法などを紹介し,光デバイスへの量子点の応用成果の例を示した。この手法の詳細な研究により,成長条件,手法などによって,自己形成でありながらある程度構造や発光波長が制御可能であることが明らかになり,実用上重要な波長域の量子点を形成することも可能となった。これらの量子点を用いて,半導体レーザの新しい特性の実現や,消費電力の低減につながる低いき値化などのデータが得られた。今後,成長方法の一層の改善により,理想により近い量子点構造が実現できれば,実用的特性を有する量子点半導体レーザが実現すると見られ,新概念の量子光デバイスも今後の長距離,広帯域光通信システムに応用されると期待できる。
研究分野
  • 半導体レーザ
  • 光デバイス一般
  • 薄膜成長技術・装置
  • 半導体薄膜
  • 光電デバイス一般
関連発表論文 (1)Hong-Wen Ren, Kenichi Nishi, Shigeo Sugou, Mitsuru Sugisaki, and Yasuaki Masumoto, Jpn. J. Appl. Phys. 36, No.6B, 4118 (1997).
(2)Hong-Wen Ren, Kenichi Nishi, Shigeo Sugou, and Yasuaki Masumoto, Jpn. J. Appl. Phys. 37, No.3B, 1548 (1998).
(3)H. Saito, K. Nishi, and S. Sugou, Appl. Phys. Lett. 74, 1224 (1999).
(4)Hong-Wen Ren, Mitsuru Sugisaki, Shigeo Sugou, Kenichi Nishi, Akiko Gomyo, and Yasuaki Masumoto, Jpn. J. Appl. Phys. 38, No.4B, 2438 (1999).
(5)K. Nishi, H. Saito, S. Sugou, and J.-S. Lee, Appl. Phys. Lett. 74, 1111 (1999).
(6)H. Saito, K. Nishi, S. Sugou, and Y. Sugimoto: Appl. Phys. Lett. 71, 590 (1997).
(7)H. Saito, K. Nishi, Y. Sugimoto, and S. Sugou, Electron. Lett. 35, 1561 (1999).
研究制度
  • 創造科学技術推進事業、舛本単一量子点プロジェクト/科学技術振興事業団
研究報告資料
  • 西 研一,任 紅文. 量子点の自己形成技術と光デバイス応用. 創造科学技術推進事業 舛本単一量子点プロジェクトシンポジウム講演要旨集(研究期間:1995-2000),2000. p.1 - 10.

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