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量子点形成における制御性の向上

研究報告コード R000000054
掲載日 2002年9月30日
研究者
  • 李 定植
研究者所属機関
  • 富士通カンタムデバイス(株)光デバイス事業部 プロセス技術部
研究機関
  • 科学技術振興事業団 創造科学技術推進事業
報告名称 量子点形成における制御性の向上
報告概要 現在,Stranski-Krastanow(S-K)モード成長量子点に関する研究は応用段階に移行しつつあるが,現行デバイス開発の多くはサイズ不均一,位置ばらつきなど課題を残している。問題解決には量子点形成過程の理解,量子点に加えて周囲媒体の量子点形成に与える影響の検討が欠かせない。本研究では量子点形成初期過程をエリプソメトリ法により分子層オーダーで観察し,量子点の形成臨界膜圧の同定や組成をその場で制御し,量子点構造の最適化を図った。高指数面方位基板を用いた量子点の配列制御やサイズ均一化,高密度化の研究を進め,結晶構造の異方性を利用した量子点の自己組織的なファセット終端化,配列現象を確認した。MOVPE成長量子点の分子層オーダーでのその場観察が可能になって量子点形成条件決定における信頼性が向上し,今後のデータベース蓄積により量子点サイズ,密度等の定量的評価が可能になると期待できる。
研究分野
  • 半導体レーザ
  • 偏光測定と偏光計
  • 半導体の結晶成長
  • 半導体薄膜
  • 固体デバイス製造技術一般
関連発表論文 (1)J.-S. Lee, S. Sugou, and Y. Masumoto, Jpn. J. Appl. Phys. Part 2 38 (1999) L614. J.-S. Lee, S. Sugou, and Y. Masumoto, J. Cryst. Growth 209 (2000) 614. Jeong-Sik Lee and Yasuaki Masumoto, J. Appl. Phys. 88 (2000) 196.
(2)J.-S. Lee, S. Sugou, H.-W. Ren, Y. Masumoto and K. Kurihara, Appl. Surf. Sci. 141 (1999) 114.
(3)J.-S. Lee, H.-W. Ren, S. Sugou, and Y. Masumoto, J. Vac. Sci. Technol. B 17 (1999) 1341.
(4)J.-S. Lee, M. Sugisaki, H.-W. Ren, S. Sugou, and Y. Masumoto, J. Cryst. Growth 200 (1999) 77.
(5)J.-S. Lee, M. Sugisaki, H.-W. Ren, S. Sugou, and Y. Masumoto, Physica E, 7 (2000) 303.
(6)J.-S. Lee, S. Sugou, and Y. Masumoto, J. Cryst. Growth 205 (1999) 467.
研究制度
  • 創造科学技術推進事業、舛本単一量子点プロジェクト/科学技術振興事業団
研究報告資料
  • 李 定植. 量子点形成における制御性の向上. 創造科学技術推進事業 舛本単一量子点プロジェクトシンポジウム講演要旨集(研究期間:1995-2000),2000. p.11 - 18.

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