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STM発光分光法と近接場光学分光法による表面極微細構造の電子物性の解明

研究報告コード R000000156
掲載日 2002年9月30日
研究者
  • 潮田 資勝
研究者所属機関
  • 東北大学電気通信研究所
研究機関
  • 東北大学電気通信研究所
報告名称 STM発光分光法と近接場光学分光法による表面極微細構造の電子物性の解明
報告概要 走査型トンネル顕微鏡(STM)や近接場光学顕微鏡(SNOM)などを用い,固体表面に形成した極微細構造,表面吸着分子系や完全に孤立した微粒子などの電子・光物性を分光学的手法によって探索し解明することを目的にした。研究内容はグループAが,
1)表面極微細構造のSTM発光分光(GaAlAs/GaAs量子井戸構造,希薄磁性半導体のSTM観察,半導体クラスタ,他),
2)個々の吸着分子のSTM発光分光(SrTiO3(100)表面上のアデニン分子,グアニン分子(DNA塩基分子)のSTM像観察に成功した,他),
3)原子スケール分解能STM発光(原子スケール位置分解能STM発光分光,Si(111)-(7×7)の原子分解能STM発光フォトンマップ計測,超伝導体のSTM発光分光),
4)時間分解STM発光分光,
5)その他(高効率集光系の開発,他)で,
グループBは,
1)孤立微粒子/それらの相互作用系の固有モードの研究(導波路モードと結合する微小共振器,三次元フォトニック結晶),
2)近接場光学顕微鏡による表面プラズモン観察,
3)微小領域における磁性,
であった。
研究分野
  • 顕微鏡法
  • 電子分光法
  • 半導体の表面構造
  • 半導体のルミネセンス
  • 有機化合物のルミネセンス
関連発表論文 (1)D.J.Bottomley,M.Iwami,Y.Uehara, and S.Ushioda,“Evidence for Germanium Phosphide Dots on Ge(001)”, J.Vac.Sci.Technol.A 17,698-703(1999).
(2)T.Tsuruoka,M.Kawasaki,S.Ushioda,R.Franchy,Y.Naoi,T.Sugahara,S.Sakai,and Y.Shintani,“Combined HREELS/LEED Study on the Oxidation of GaN Surfaces”,Surf.Sci.427-428,257-261(1999).
(3)Y.Uehara,T.Fujita,and S.Ushioda,“Scanning Tunneling Microscope Light Emission Spectra of Au(110)-(2×1) with Atomic Spatial Resolution”, Phys.Rev.Lett.83,2445-2448(1999).
(4)T.Tsuruoka,Y.Ohizumi,R.Tanimoto, and S.Ushioda, “Light Emission Spectra of Individual GaAs Quantum Wells Induced by Scanning Tunneling Microscope”, Appl.Phys.Lett.75,2289-2291(1999).
(5)K.J. Ito,Y.Uehara,S.Ushioda,and K.Ito,“Servomechanism for Locking Scanning Tunneling Microscope Tip over Surface Nanostructures”,Rev.Sci.Instrum.71,420-423(2000).
研究制度
  • 戦略的基礎研究推進事業、研究領域「量子効果等の物理現象」研究代表者 潮田 資勝(東北大学電気通信研究所)/科学技術振興事業団
研究報告資料
  • 潮田 資勝. 量子効果等の物理現象 STM発光分光法と近接場光学分光法による表面極微細構造の電子物性の解明. 戦略的基礎研究推進事業 平成11年度 研究年報.科学技術振興事業団, 2000. p.259 - 266.

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