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3次元集積量子構造の形成と知能情報処理への応用

研究報告コード R000000161
掲載日 2002年9月30日
研究者
  • 広瀬 全孝
研究者所属機関
  • 広島大学大学院先端物質科学研究科
研究機関
  • 広島大学工学部
報告名称 3次元集積量子構造の形成と知能情報処理への応用
報告概要 三次元集積量子構造による知能情報処理システムに必要なアルゴリズムとアーキテクチャ,機能実現に必要なSi量子ドットの位置制御,量子細線,極微細トランジスタ,量子ドットメモリ,結合量子ドット系の理論などの研究を総合的に推進した。これ迄の研究から,三次元集積量子構造による情報処理機能体のアーキテクチャが明らかになった。量子ドットの位置制御,帯電状態制御,量子配線形成,ドット帯電状態検出用極微細MOSFET等の要素技術開発については最終目標達成に近付いている。研究内容は,
1)高密度Si量子ドットの自己組織化形成法,
2)量子曲線の自然形成,
3)原子層選択成長によるSi量子構造形成法,
4)極微細構造形成のための表面反応の原子スケール制御,
5)量子構造における少数電子系の理論解析,
6)超微細MOSトランジスタ,
7)三次元量子構造による情報処理アルゴリズムとアーキテクチャ,
の7領域に分けて行った。
研究分野
  • 電気化学反応
  • 計算理論
  • 計算機網
  • 固体デバイス製造技術一般
  • トランジスタ
関連発表論文 (1)S.Yokoyama, Y. Nakashima and K. Ooba "Atomic-Layer Deposition, of Silicon Nitride", J. Korean Phys. Soc., Vol.35 (1999) pp.S71-S75.
(2)Y. Isawa and H. Horii "A Theoretical Approach to Tunneling Processes in Quantum Structures", J. Phys. Soc. Jpn., Vol.68, No.11 (1999) pp.3481-3484.
(3)Y. Isawa and H. Horii, "Transport through a Metallic Quantum Dot in the Limit of Strong Coulomb Interaction", J. Phys. Soc. Jpn., Vol.69, No.3 (2000) pp.655-658.
(4)S. Kinoshita, T. Morie, M. Nagata, and A. Iwata, "New Non-Volatile Analog Memory Circuits Using PWM Methods", IEICE Trans. Electron., Vol.E82-C, No.9 (1999) pp.1655-1661.
(5)H. Ando, T Morie, M. Nagata and A. Iwata, "A Nonlinear Oscillator Network for Gray-
level Image Segmentation and PWM/PPM Circuits for its VLSI Implementation", IEICE Trans. on Fundamentals of Electronics, Communications and Computer Science, Vol.E83-A, No.2 (2000) pp.329-336.
(6)Khairurrijal, W.Mizubayashi, S.Miyazaki and M.Hirose, "Analytical Model of Direct Tunnel Current through Ultrathin Gate Oxides", J. Appl. Phys., Vol.87, No.6 (2000) pp.3000-3005.
研究制度
  • 戦略的基礎研究推進事業、研究領域「量子効果等の物理現象」研究代表者 廣瀬 全孝(広島大学工学部)/科学技術振興事業団
研究報告資料
  • 広瀬 全孝. 量子効果等の物理現象 3次元集積量子構造の形成と知能情報処理への応用. 戦略的基礎研究推進事業 平成11年度 研究年報.科学技術振興事業団, 2000. p.291 - 295.

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