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軟磁性薄膜及びその製造方法並びにその薄膜を用いた薄膜磁気ヘッド

シーズコード S100001966
掲載日 2010年10月6日
研究者
  • 逢坂 哲彌
  • 横島 時彦
  • 田中 厚志
  • 金子 大樹
技術名称 軟磁性薄膜及びその製造方法並びにその薄膜を用いた薄膜磁気ヘッド
技術概要 軟磁性薄膜は、無電解めっき法により作製されたもので、Co、Ni、Fe、B及びCを含有し、Co含有量が40~80at%、Fe含有量が15~40at%、Ni含有量が5~20at%、B含有量が0.5~5at%、C含有量が0.4~5at%である。そして、Coイオン、Feイオン、Niイオン、ホウ素系還元剤を含有し、錯化剤としてアミノ基を有する錯化剤を単独で若しくはアミノ基を含まない錯化剤と組み合わせて使用した無電解めっき浴を用いた無電解めっき法により作製される。軟磁性薄膜は、飽和磁束密度(Bs)が1.6T以上、かつ比抵抗が40μΩcm以上である。薄膜磁気ヘッドは、インダクティブヘッド素子を形成する上部磁性層12、上部磁極端9及び下部磁性層6のうち全部若しくは一部に、この軟磁性薄膜を配置可能である。
画像

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研究分野
  • 磁性材料
  • 電子・磁気・光学記録
  • 無電解めっき
展開可能なシーズ 無電解めっき法により得られ、特に飽和磁束密度(Bs)が1.6T以上、比抵抗が40μΩcm以上の値を有する軟磁性薄膜を得る。
良好な低保磁力、高いBs、高い比抵抗を併せ持ち、この軟磁性薄膜を用いた薄膜磁気ヘッドは高い書き込み能力が得られる。
用途利用分野 磁気記憶装置用薄膜磁気ヘッド、薄膜インダクタ、、薄膜トランス、磁気デバイスの磁極材料
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 早稲田大学, 富士通(株), . 逢坂 哲彌, 横島 時彦, 田中 厚志, 金子 大樹, . 軟磁性薄膜及びその製造方法並びにその薄膜を用いた薄膜磁気ヘッド. 特開2003-282320. 2003-10-03
  • H01F  10/16     
  • G11B   5/31     

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