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電荷付与体およびそれを用いたパターン形成体

シーズコード S100001977
掲載日 2010年10月6日
研究者
  • 本間 敬之
技術名称 電荷付与体およびそれを用いたパターン形成体
技術概要 電荷付与体は、結晶性半導体表面の結晶構造に歪みを導入することにより、その歪み領域から電荷が付与される。結晶性半導体とは、規則的に結晶が配列しており、かつ電荷を帯電することが可能である半導体である。半導体が結晶性であることから、歪み領域を結晶性半導体表面に導入することによって、局所的に表面ポテンシャルが、p型半導体の場合は負に、n型半導体の場合は正にシフトする。また、半導体であることから、一時的に電荷を帯電させることが可能であるため、この表面ポテンシャルがシフトした領域から、他の物質に電荷を付与することが可能となる。電荷付与体における歪み領域とは、結晶性半導体の表面に、局所的に歪みを導入した領域であり、歪みとは、結晶性半導体の表面の結晶格子に、凹構造を導入したものである。導入された歪みの大きさに、結晶性半導体の表面ポテンシャルシフトは依存し、例えば析出物の析出速度が決定される。これにより、異なる負荷を加え、析出物を析出させた場合、異なる析出量の析出物を析出させることができる。
画像

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研究分野
  • 固体デバイス製造技術一般
展開可能なシーズ 半導体表面に簡易なプロセスで、微細な構造のパターン形成が可能な電荷付与体、および微細なパターン形成体を提供する。
歪み領域において表面ポテンシャルが、p型半導体の場合は負に、n型半導体の場合は正にシフトする。これにより、他の物質に電荷を付与することが可能な電荷付与体となる。また、パターン状に形成された電荷付与体を、被析出物を含有する雰囲気に曝すことにより、歪み領域上から電子が付与され、析出物により目的とするパターンが形成され、パターン形成体とすることが可能となる。
用途利用分野 電子デバイス、ダイオード、トランジスタ、集積回路
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 学校法人早稲田大学, . 本間 敬之, . パターン形成体の製造方法. 特開2004-006779. 2004-01-08
  • H01L  21/288    
  • H01L  21/285    

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