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Si-O-Si結合を含む化合物への光照射による酸化ケイ素膜の形成法

シーズコード S100002127
掲載日 2010年10月7日
研究者
  • 大越 昌幸
  • 井上 成美
  • 高尾 寛弘
技術名称 Si-O-Si結合を含む化合物への光照射による酸化ケイ素膜の形成法
技術概要 真空容器1内にはSi-O-Si結合を含む化合物として有機ポリシロキサン10が配置されるとともにケイ素基板20が配置されている。光源30としてFレーザー装置を用い、実質的に真空に減圧した真空容器1内に設置した有機ポリシロキサン10の表面に真空紫外Fレーザー光(波長200nm以下)をレーザアブレーションしきい値以下で照射する。その際、Fレーザー光の光路一部に、金属マスク21を密着させたケイ素基板20をレーザー光に対して垂直に置く。これにより、有機ポリシロキサン10の露光部分から気体(ガス状のケイ素化合物と酸素)が放出され、この気体を利用してレーザー光の光路中に置かれたケイ素基板20上に酸化ケイ素膜を化学蒸着する。つまり、気体のケイ素基板20付近での光分解により酸化ケイ素を膜堆積させる。この化学蒸着に際してケイ素基板20の加熱や冷却は不要であり、室温(常温)で実施できる。有機ポリシロキサン10から放出される気体を利用することにより、光源30の光路中に置かれた基板上に良質の酸化ケイ素膜を化学蒸着することができる。
画像

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研究分野
  • 薄膜成長技術・装置
  • 酸化物薄膜
  • 光導波路,光ファイバ,繊維光学
展開可能なシーズ 炭素混入のない良質の酸化ケイ素膜を室温(常温)で形成可能なSi-O-Si結合を含む化合物への光照射による酸化ケイ素膜の形成法を提供する。
熱の制限を受けることなく任意の基体上に所望のパターンで良質の酸化ケイ素膜が形成できる。この酸化ケイ素膜を利用して、光導波路やフォトニック結晶などが形成可能であるため、現在の集積回路から将来の光集積回路へ移行するための必要不可欠な技術となる。
用途利用分野 高分子材料、生体材料、低融点材料、光導波路、フォトニック結晶
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 防衛装備庁長官, . 大越 昌幸, 井上 成美, 高尾 寛弘, . Si-O-Si結合を含む化合物への光照射による酸化ケイ素膜の形成法. 特開2004-273869. 2004-09-30
  • H01L  21/316    

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