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半導体装置製造方法

シーズコード S100002147
掲載日 2010年10月7日
研究者
  • 安田 幸夫
  • 財満 鎭明
  • 杉本 賢
  • 酒井 朗
技術名称 半導体装置製造方法
技術概要 まず、p型シリコン基板を、p型シリコン基板上に、所要の膜厚で不純物濃度がシリコン基板と同程度の緩衝層であるp型シリコンゲルマニウム層12Aをエピタキシャル成長させる。次に、p型シリコンゲルマニウム層12A上に、所要の膜厚、所要の不純物濃度の緩衝層、かつパンチスルー抑制層であるp型シリコンゲルマニウム層12Bをエピタキシャル成長させる。次いで、水素雰囲気中で所要温度、所要時間の熱処理を施すことにより、緩衝層であるp型シリコンゲルマニウム層12A及びp型シリコンゲルマニウム層12Bを歪緩和状態にし、被覆層である第1ノンドープシリコン層13Aを引張歪状態にする。続いて、被覆層である引張歪状態の第1シリコン層13A上に、所要の膜厚のチャネル層である第2ノンドープシリコン層13Bを引張歪状態を保持したままエピタキシャル成長させる。最後に、この第2ノンドープシリコン層13B上をチャネル層とする電界効果トランジスタを形成する。
画像

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研究分野
  • 固体デバイス製造技術一般
  • 結晶成長技術・装置
展開可能なシーズ 従来よりも膜厚が薄く、貫通転位が無く、且つ表面が原子レベルで平坦な歪緩和シリコンゲルマニウム緩衝層を有する量産性の優れた半導体装置を提供する。
引張歪第1シリコン層上に引張歪第2シリコン層を形成し、この引張歪第2シリコン層上をチャネル層とする電界効果トランジスタを形成することにより、従来よりも大幅に膜厚が薄い歪緩和シリコンゲルマニウム緩衝層を形成することができ、かつ、トランジスタ特性を向上させることができる。
用途利用分野 電界効果トランジスタ
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 学校法人名古屋大学, . 安田 幸夫, 財満 鎭明, 杉本 賢, 酒井 朗, . 半導体装置製造方法. 特開2002-217413. 2002-08-02
  • H01L  29/78     
  • H01L  21/203    
  • H01L  21/205    
  • H01L  21/324    

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