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カーボンナノチューブの成長方法

シーズコード S100002159
掲載日 2010年10月7日
研究者
  • 大野 雄高
  • 水谷 孝
技術名称 カーボンナノチューブの成長方法
技術概要 基板上に、2種以上の異なる触媒金属層が積層された多層触媒金属パターンを形成し、多層触媒金属パターンを500~1000℃で加熱処理した後、多層触媒金属パターン上に、熱CVD法またはプラズマCVD法によりカーボンナノチューブを成長させるカーボンナノチューブの成長方法である。多層触媒金属パターンは、コバルトを含有する触媒金属層と、白金、鉄、及びニッケルから選択される少なくとも1種(好ましくは白金)を含有する触媒金属層との積層を含む。多層触媒層は、アレイ状に形成される。多層触媒金属パターンとしては、白金層上にコバルト層を形成することが望ましく、その厚さの比は、例えば白金層1に対し、コバルト層0.001~1であることが好ましい。CVD法として熱CVD法を用いる場合、加熱処理の温度はカーボンナノチューブの成長温度よりも100~300℃高いことが好ましい。加熱処理は、例えば常圧下、及び窒素または希ガス雰囲気下で、あるいは真空下で行われることが好ましい。多層触媒層の大きさは、トランジスタ等の電子デバイスに使用する場合には、10nm~数十μmであることが好ましい。
研究分野
  • 固体デバイス材料
  • 固体デバイス製造技術一般
展開可能なシーズ 高品質なカーボンナノチューブを所望の位置に成長する方法を提供する。
このカーボンナノチューブの成長方法によれば、曲がりが少なく、十分な長さを有する高品質なカーボンナノチューブを、所望の位置に成長することができる。
用途利用分野 電子デバイス、トランジスタ
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 学校法人名古屋大学, . 大野 雄高, 水谷 孝, . カーボンナノチューブの成長方法. 特開2003-277033. 2003-10-02
  • C01B  31/02     
  • B01J  23/89     
  • B82B   3/00     
  • C23C  16/26     

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