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素子電極用のニッケルシリコン系薄膜の作製方法、及び素子電極用の多層膜構造

シーズコード S100002161
掲載日 2010年10月7日
研究者
  • 安田 幸夫
  • 財満 鎭明
  • 酒井 朗
  • 中塚 理
  • 土屋 義規
技術名称 素子電極用のニッケルシリコン系薄膜の作製方法、及び素子電極用の多層膜構造
技術概要 シリコン基板1上に、蒸着法、スパッタリング法、及びCVD法などの成膜手法を用いてゲルマニウム含有薄膜2及びニッケル薄膜3を順次に形成して多層膜構造5を作製する。次いで、この多層膜構造5に対して熱処理を施し、シリコン基板1中のシリコン元素と、ゲルマニウム含有薄膜2中のゲルマニウム元素と、ニッケル薄膜3中のニッケル元素とを化学的に反応させ、Ni(Si1-yGe)(0≦y≦1)なる組成を有するニッケルシリコン系薄膜6を得る。なお、ゲルマニウム含有薄膜2中のゲルマニウム含有量は1モル%~100モル%であることが好ましい。また、ゲルマニウム含有薄膜2はシリコンゲルマニウム混晶膜であることが好ましい。この場合、ゲルマニウム含有薄膜2はゲルマニウム元素に加えてシリコン元素をも含むため、シリコン基板1中のシリコン元素に加えてゲルマニウム含有薄膜2中のシリコン元素も化学反応に寄与するようになる。
画像

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研究分野
  • 薄膜一般
  • 薄膜成長技術・装置
展開可能なシーズ ニッケルシリコン系薄膜を作製する際の熱処理温度範囲を拡大し、ニッケルシリコン系薄膜を比較的短時間で作製しうるとともに、熱処理温度マージンを拡大し、ニッケルシリコン系薄膜の実用的な作製方法を提供する。
ニッケルシリコン系薄膜を作製する際の熱処理温度範囲を拡大し、ニッケルシリコン系薄膜を比較的短時間で作製しうるとともに、熱処理温度マージンを拡大し、ニッケルシリコン系薄膜の実用的な作製方法を提供することができる。
用途利用分野 素子電極、ニッケルシリコン系薄膜の作製技術
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立大学法人名古屋大学, . 安田 幸夫, 財満 鎭明, 酒井 朗, 中塚 理, 土屋 義規, . 素子電極用のニッケルシリコン系薄膜の作製方法、及び素子電極用の多層膜構造. 特開2003-324078. 2003-11-14
  • H01L  21/28     

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