TOP > 技術シーズ検索 > ニッケルシリコン系薄膜、ニッケルシリコン系多層膜構造及びニッケルシリコン系薄膜の作製方法

ニッケルシリコン系薄膜、ニッケルシリコン系多層膜構造及びニッケルシリコン系薄膜の作製方法

シーズコード S100002164
掲載日 2010年10月7日
研究者
  • 財満 鎭明
  • 安田 幸夫
  • 酒井 朗
  • 中塚 理
  • 土屋 義規
技術名称 ニッケルシリコン系薄膜、ニッケルシリコン系多層膜構造及びニッケルシリコン系薄膜の作製方法
技術概要 シリコン基板1上に、蒸着法、スパッタリング法、及びCVD法などの成膜手法を用いて、炭素含有下地膜2及びニッケル含有薄膜3を順次に形成して多層膜構造5を作製する。次いで、この多層膜構造5に対して熱処理を施し、シリコン基板1中のシリコン元素と、下地膜2中の炭素元素と、ニッケル含有薄膜3中のニッケル元素とを相互に拡散させるともに化学的に反応させ、ニッケル、シリコン、及び炭素を含むニッケルシリコン系薄膜を得る。なお、下地膜2は炭素薄膜から構成することができる。この場合、ニッケルシリコン系薄膜中の炭素含有量は、炭素薄膜の厚さを適宜に調節することによって制御する。下地膜2は炭素以外の元素を含むこともできる。炭素以外の元素としてはニッケルシリコン系薄膜中に余分な不純物の混入を防止すべく、シリコンが好ましい。この場合、炭素含有下地膜2は、シリコン及び炭素含有薄膜として構成される。このようなシリコン及び炭素含有薄膜中における炭素含有量は、0.01原子%~10原子%に設定する。これにより、熱的安定性をさらに向上させることができる。
画像

※ 画像をクリックすると拡大します。

thum_2002-198369.gif
研究分野
  • 薄膜一般
  • 薄膜成長技術・装置
展開可能なシーズ ニッケルシリコン系薄膜に対して所定量の炭素を含有させることにより、ニッケルシリコン系薄膜の熱的安定性が向上し、高温下での使用においてもその物理特性を劣化させることのない、新規なニッケルシリコン系薄膜及びその作製方法を提供する。
高温下での使用においても結晶粒の凝集を抑制して、平坦性や抵抗値増大などの物理特性を劣化させることのない、新規なニッケルシリコン系薄膜及びその作製方法を提供することができる。
用途利用分野 ニッケルシリコン系薄膜素子電極
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立大学法人名古屋大学, . 財満 鎭明, 安田 幸夫, 酒井 朗, 中塚 理, 土屋 義規, . ニッケルシリコン系薄膜、ニッケルシリコン系多層膜構造及びニッケルシリコン系薄膜の作製方法. 特開2004-040013. 2004-02-05
  • H01L  21/28     
  • H01L  21/3205   
  • H01L  23/52     

PAGE TOP