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不揮発性固体磁気メモリ、不揮発性固体磁気メモリの保磁力制御方法、及び不揮発性固体磁気メモリの記録方法

シーズコード S100002166
掲載日 2010年10月7日
研究者
  • 大野 英男
  • 松倉 文礼
  • 千葉 大地
技術名称 不揮発性固体磁気メモリ、不揮発性固体磁気メモリの保磁力制御方法、及び不揮発性固体磁気メモリの記録方法
技術概要 不揮発性固体磁気メモリ10は、所定の基板1上において、バッファ層2と、キャリア誘起強磁性体からなる記録層3と、絶縁層4を介して金属電極層5とを具えている。記録層3を構成するキャリア誘起強磁性体としては、キャリア強磁性半導体から構成することが好ましい。キャリア強磁性半導体としては(Ga,Mn)As及び(In,Mn)Asの少なくとも一つを用いることができる。これらの材料は優れた強磁性半導体であって、この記録方法を用いて書き込み動作を良好に行なうことができるとともに、記録した情報を安定的に長期に亘って保持することができる。また、記録層3の厚さは0.3nm~200nmであることが好ましい。これによって、不揮発性固体磁気メモリの微細化の要請を満足するとともに、記録した情報の安定的な長期保持、並びに書き込み動作を良好な状態の下に行なうことができる。なお、基板1はGaAs単結晶から構成することが好ましい。これによって、記録層3を基板1上に良好な結晶性の下にエピタキシャル成長させることができ、優れた特性の不揮発性固体磁気メモリ10を簡易に得ることができる。
画像

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研究分野
  • 電子・磁気・光学記録
  • トランジスタ
展開可能なシーズ 省電力で実用に共することのできる不揮発性固体磁気メモリを提供する。
記録時において保磁力を十分に低減し、比較的小さな外部磁場で記録動作を実行することのできる不揮発性固体磁気メモリを提供することができる。
用途利用分野 不揮発性固体磁気メモリ
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立大学法人東北大学, . 大野 英男, 松倉 文▲礼▼, 千葉 大地, . 不揮発性固体磁気メモリ、不揮発性固体磁気メモリの保磁力制御方法、及び不揮発性固体磁気メモリの記録方法. 特開2004-055866. 2004-02-19
  • H01L  21/8246   
  • H01L  27/105    
  • H01L  29/82     

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