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シリコン基板上に結晶性の優れた窒化物半導体層を形成する方法および窒化物半導体発光素子

シーズコード S100002169
掲載日 2010年10月7日
研究者
  • 伊藤 國雄
  • 中村 重之
技術名称 シリコン基板上に結晶性の優れた窒化物半導体層を形成する方法および窒化物半導体発光素子
技術概要 シリコン基板11上にバッファ層12が形成され、バッファ層12上にIII族窒化物半導体層13が形成される。バッファ層12は、II-III-VI族化合物半導体、I-III-VI族化合物半導体およびII-IV-V族化合物半導体並びに窒化ガリウム系半導体の4種の化合物半導体のうちの少なくとも2種の化合物半導体を超格子構造として積層する。シリコン基板11上に直接形成される半導体層は、層12A1により構成され、バッファ層12の最上層を構成する半導体層は、層12Bnにより構成される。そして、層12A1~12Anは、シリコン基板11に最も近い層12A1から最上層に向って厚さが単純に減少している。これとは逆に、層12B1~12Bnは、シリコン基板11に最も近い層12B1から最上層に向って厚さが単純に増加している。そして、II-III-VI族化合物半導体は、ZnIn等からなる群の中から選ばれ、I-III-VI族化合物半導体は、CuGaS等からなる群の中から選ばれ、II-IV-V族化合物半導体は、ZnSiP等からなる群の中から選ばれる。
画像

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研究分野
  • 発光素子
  • 窒素とその化合物
展開可能なシーズ シリコン基板上に結晶性の優れたIII族窒化物半導体を形成することができ、その上に良好な品質の窒化物半導体発光構造を設けることができるようにする。
II-III-VI族化合物半導体、I-III-VI族化合物半導体およびII-IV-V族化合物半導体並びに窒化ガリウム系半導体の4種の化合物半導体のうちの少なくとも2種の化合物半導体を超格子構造として積層することにより、シリコン基板上に結晶性に優れた窒化物半導体を形成することができる。
用途利用分野 窒化物半導体発光素子、発光ダイオード、レーザダイオード
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 独立行政法人国立高等専門学校機構, . 伊藤 國雄, 中村 重之, . シリコン基板上に結晶性の優れた窒化物半導体層を形成する方法および窒化物半導体発光素子. 特開2004-063762. 2004-02-26
  • H01L  33/00     
  • C23C  16/18     
  • C30B  29/38     
  • H01L  21/205    
  • H01S   5/323    

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