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半導体素子構造、電子エミッタ及び半導体素子構造の製造方法

シーズコード S100002171
掲載日 2010年10月7日
研究者
  • 澤木 宣彦
  • 本田 善央
技術名称 半導体素子構造、電子エミッタ及び半導体素子構造の製造方法
技術概要 まず、シリコン基板1を準備する。シリコン基板1は、(111)面のn型シリコン基板から構成する。次いで、下地層に対してフォトリソグラフィ及び電子線リソグラフィなどの技術を施すことにより、下地層中に開口部を形成し、マスク層2を形成する。次いで、マスク層2の開口部内に露出したシリコン基板1の主面を覆うようにして緩衝層4を公知の成膜手法を用いて形成する。緩衝層4は、島状構造部を構成する窒化物系半導体と合致させて、Alx2Gay2N(x2+y2=1、0≦x2≦1、0≦y2≦1)なる組成を有する窒化物系半導体から構成する。次いで、マスク層2の開口部内に窒化物系半導体からなる六角錐状の島状構造部5を形成する。島状構造部5を構成する窒化物系半導体としては、Alx1Gay1N(x1+y1=1、0≦x1≦1、0≦y1≦1)なる組成を有する。島状構造部5は、シリコン基板1上においてヘテロエピタキシャル成長により形成され、良好な結晶品質を有する。
画像

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研究分野
  • 電子源,イオン源
  • 半導体薄膜
  • 薄膜成長技術・装置
展開可能なシーズ 長寿命で高輝度な電子源を得る。
ティップを構成する島状構造部が窒化物系半導体から形成されており、その電子親和力が比較的小さいために、曲率半径が200nmでも、駆動電圧を45V程度に低減することができる。この結果、ティップ先端にかかる負荷が小さく、ティップ寿命を増大させることができる。
用途利用分野 電子エミッタ
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立大学法人名古屋大学, . 澤木 宣彦, 本田 善央, . 半導体素子構造、電子エミッタ及び半導体素子構造の製造方法. 特開2004-119168. 2004-04-15
  • H01J   1/304    
  • H01J   9/02     
  • H01L  21/205    

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