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SiC膜の製造方法、及びSiC多層膜構造の製造方法

シーズコード S100002620
掲載日 2010年11月5日
研究者
  • 末光 眞希
  • 中澤 日出樹
技術名称 SiC膜の製造方法、及びSiC多層膜構造の製造方法
技術概要 Siを含んだ部材の主面上にSi-H結合とSi-C結合とを有する有機珪素ガスを供給するとともに、主面上に飽和吸着させた後、部材の主面上にSiC膜を形成する。またSiを含んだ部材の主面上にSi-H結合とSi-C結合とを有する有機珪素ガスを供給するとともに、主面上に飽和吸着させた後、部材の主面上にSiC下地膜を形成し、このSiC下地膜上に所定のSiC膜を形成することにより、SiC多層膜構造を作製する。好ましくは、部材がSi部材であり、有機珪素ガスとしては、容易に分解するとともに反応性に富むモノシラン系ガス、特にモノメチルシランを用い、部材を800℃以下、更に好ましくは450~650℃に加熱する。これにより、Si基板を約900℃以上の高温に加熱する炭化法によってSiC下地膜を形成する場合に発生するSi基板内での中空ボイドや、Si原子の外方拡散による界面平坦性の劣化を抑制できる。
研究分野
  • 結晶成長技術・装置
  • 薄膜成長技術・装置
  • 半導体薄膜
展開可能なシーズ SiC膜を形成する部材を高温加熱することなく、結晶性及び平坦性に優れたSiC膜を製造する方法、並びにこの方法を利用してSiC下地膜を形成する工程を含む、SiC多層膜構造を製造する方法を提供する。
主面上に有機珪素ガスを飽和吸着した後に、加熱処理を施すことによってSiC膜を形成するので、部材の主面を酸化などから防止するとともに、主面上において構成元素以外の不純物を介在させることなく、清浄な状態に保持しておくことができる。
用途利用分野 耐環境デバイス、高周波・パワーデバイス用半導体デバイス、GaNデバイス用基板、共振器ミラー
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 学校法人東北大学, . 末光 眞希, 中澤 日出樹, . SiC膜の製造方法、及びSiC多層膜構造の製造方法. 特開2002-234799. 2002-08-23
  • C30B  29/36     

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