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シリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶膜の作製方法及びシリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶膜

シーズコード S100002622
掲載日 2010年11月5日
研究者
  • 安田 幸夫
  • 財満 鎭明
  • 鳥毛 裕二
  • 酒井 朗
技術名称 シリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶膜の作製方法及びシリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶膜
技術概要 シリコン基板11上にシリコン・ゲルマニウム二元混晶下地層12を1原子層の厚さに形成する。次に、シリコン・ゲルマニウム二元混晶下地層12上にシリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶層を形成する。すると、最初の1原子層13aが形成された時点において、シリコン原子とカーボン原子との結合に比較して、ゲルマニウム原子とカーボン原子との結合が著しく不安定であるため、シリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶層中のカーボン原子は、シリコン・ゲルマニウム二元混晶下地層12中のシリコン原子と優先的に結合する。更に、シリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶層13a内のカーボン原子とシリコン・ゲルマニウム二元混晶下地層12中のゲルマニウム原子とが置換する。次いで、1原子層分の厚さを有するシリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶層が、当初のシリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶層13a上に連続して形成されることにより、各層間において、シリコン原子とカーボン原子との優先的な結合と、カーボン原子とゲルマニウム原子との置換が生じ、シリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶膜がシリコン基板11上に形成される。
画像

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研究分野
  • 薄膜一般
  • 薄膜成長技術・装置
展開可能なシーズ カーボン濃度を広範囲で制御することができ、シリコンカーバイドの析出を抑制して、膜中の全域にわたって均質且つ高品質なシリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶膜を提供する。
シリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶層中のカーボン原子の、シリコン・ゲルマニウム二元混晶下地層中のシリコン原子との優先的結合を介した、シリコン・ゲルマニウム二元混晶下地層中のゲルマニウム原子との置換を通じて、シリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶膜を形成することより、更なる高速動作を実現することができる。
用途利用分野 超高速動作ヘテロバイポーラトランジスタ
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 学校法人名古屋大学, . 安田 幸夫, 財満 鎭明, 鳥毛 裕二, 酒井 朗, . シリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶膜の作製方法及びシリコン・ゲルマニウム・カーボン三元混晶膜. 特開2002-289526. 2002-10-04
  • H01L  21/203    
  • C30B  29/36     
  • H01L  21/205    

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