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半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法

シーズコード S100002628
掲載日 2010年11月5日
研究者
  • 羽根 一博
  • 金森 義明
技術名称 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法
技術概要 第2の半導体層13の中央部の凹部内の底面を発光面16とし、発光面16上に反射防止フィルタ17を形成する。この反射防止フィルタ17は、横方向に周期T1、縦方向に周期T2で格子状に配置された複数の凸部から構成する。ここで、反射防止フィルタ17を構成する格子状に設けられた複数の凸部の周期T1及びT2が、多層積層構造18の発光面16より発せられる光の波長よりも短いものとする。これによって、半導体発光素子20から光を取り出す外部(大気)の屈折率と、発光面16を構成する第2の半導体層13の屈折率との差を補完し、これら屈折率差を滑らかに整合する任意の屈折率空間を形成することができる。即ち、半導体発光素子20においては、反射防止フィルタ17によって第2の半導体層13の屈折率と外部(大気)の屈折率との屈折率差を埋めるように、積層方向に向けて連続的に変化した屈折率空間を形成する。
画像

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研究分野
  • 発光素子
  • 固体デバイス製造技術一般
展開可能なシーズ 発光面の実質的な臨界角を増大させて発光波長の透過率を向上させ、光取り出し効率に優れた半導体発光素子を提供する。
多層積層構造の発光面上に多層積層構造より発する光の波長よりも短い周期で格子状に配置された複数の凸部よりなる反射防止フィルタを設けると共に、反射防止フィルタによって光が取り出される外部の屈折率と多層積層構造の発光面を構成する半導体層の屈折率との差を連続的に変化させることにより、半導体発光素子を構成する複数の半導体層からなる多層積層構造で生成された光に対する透過率を向上させることができる。
用途利用分野 発光ダイオード
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立大学法人東北大学, . 羽根 一博, 金森 義明, . 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法. 特開2003-086835. 2003-03-20
  • H01L  33/00     
  • H01L  21/3065   

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