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半導体装置

シーズコード S100002637
掲載日 2010年11月5日
研究者
  • 川辺 光央
  • 赤羽 浩一
技術名称 半導体装置
技術概要 InP基板1上に、基板1よりも格子定数の大きい第1層目の量子ドット層2aを形成し、その上にInP基板1と略同じ大きさの格子定数を有する緩衝層(第1のバッファ層)4を形成する。そして、バッファ層4上に、InP基板1よりも格子定数の大きい第2層目以上の量子ドット層2bとInP基板1よりも格子定数の小さい中間層3とを交互に積層する。なお、最上層は量子ドット層2bとする。InP基板1には、一般にInP(311)B基板が用いられる。このInP(311)B基板の格子定数は、約0.58694nmである。第1層目の量子ドット層2aは、その組成式がInAs1-x(x>0.5)で表される合金により、第2層目以上の量子ドット層2bは、InAs合金により夫々形成されている。第1層目及び第2層目以上の量子ドット層2a,2bの格子定数は、約0.6058nmである。バッファ層4及び各中間層3は、共に組成式がInGaAl1-x-yAs(0<x+y<1)で表される材料によって形成されているが、互いに組成比が異なっている。
画像

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研究分野
  • 薄膜成長技術・装置
  • 薄膜一般
  • 結晶成長技術・装置
展開可能なシーズ 量子ドット層の積層数の増加に伴う量子ドットの形状劣化及び配列の乱れを抑制することができ、量子ドット層の高密度化を図り得る半導体装置を提供する。
基板よりも格子定数の大きい化合物半導体材料からなる第1層目の量子ドット層と、緩衝層上に設けた基板よりも格子定数の小さい化合物半導体材料からなる中間層とを交互に積層して多層構造部を構成することにより、量子ドット層の積層数に伴う量子ドットの形状劣化や配列の乱れを抑制して、量子ドット層の高密度化を図ることができる。
用途利用分野 量子ドットレーザ、光検出器
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立大学法人 筑波大学, . 川辺 光央, 赤羽 浩一, . 半導体装置. 特開2003-197900. 2003-07-11
  • H01L  29/06     
  • H01L  21/20     
  • H01L  21/203    
  • H01S   5/343    

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