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ナノクリスタル構造体、ナノクリスタル構造体製法、および非線形抵抗素子

シーズコード S100002639
掲載日 2010年11月5日
研究者
  • 矢ヶ崎 克馬
  • 仲間 隆男
  • アレクサンダー トロフィモビッチ ブルコフ
技術名称 ナノクリスタル構造体、ナノクリスタル構造体製法、および非線形抵抗素子
技術概要 加熱していないSiウェハーの表面を酸化させてSiO膜を形成させた基板10上に、所定の組成比に仕込まれたターゲット物質をマグネトロンスパッタリング法で堆積させ、2価を取り得る金属(X:この場合はCrを用いる)とシリコンから成る非晶質母体(Cr15Si85)14を得る。この非晶質母体14は、膜厚約110nmの薄膜である。この非晶質母体14を所定の温度パターンで温度制御可能なチャンバー20へ入れる。約600K(約330℃)以上での加熱によって、非晶質中のクロムとシリコンとが金属間化合物をつくり粒径がナノメータオーダーのCrSi結晶粒16(即ち、平均粒径が数ナノメータオーダーのナノクリスタル)が生成される。即ち、非晶質母体は、この状態では、非晶質母体中にナノクリスタルが存在するナノクリスタル複合体に変化する。さらに、十分な時間加熱を続け、この結晶析出を促進させると結晶化したCrSi結晶粒16のパーコレーション(即ち結晶粒子相互の接触重なり)が起こり、その結果、熱電能およびパワーファクターが増加する。これに加えてさらに約900K以上で十分な時間の熱処理を行えば、Si結晶18が析出し、その結果、非線形抵抗特性を得ることができる。
画像

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研究分野
  • 固体デバイス材料
  • 固体デバイス製造技術一般
  • LCR部品
展開可能なシーズ バリスタ材料として使用し得る非線形抵抗特性が顕著に優れ、かつ、薄膜およびバルクの両状態において非線形抵抗特性が顕著に優れた新たなナノクリスタル構造体(ナノクリスタルが分散している金属化合物)、およびその製法を提供する。
バリスタ材料として使用し得る非線形抵抗特性が顕著に優れ、かつ、薄膜およびバルクの両状態において非線形抵抗特性が顕著に優れた新たなナノクリスタル構造体を得ることができる。
用途利用分野 非晶質母体、CrSi結晶粒
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立大学法人 琉球大学, . 矢ヶ崎 克馬, 仲間 隆男, アレクサンダー トロフィモビッチ ブルコフ, . ナノクリスタル構造体、ナノクリスタル構造体製法、および非線形抵抗素子. 特開2003-251600. 2003-09-09
  • B82B   1/00     
  • B82B   3/00     
  • H01C   7/10     
  • H01L  35/14     
  • H01L  35/34     

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