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閃亜鉛鉱型CrSbの製造方法、及び多層膜構造

シーズコード S100002644
掲載日 2010年11月5日
研究者
  • 大野 英男
  • 松倉 文礼
技術名称 閃亜鉛鉱型CrSbの製造方法、及び多層膜構造
技術概要 方法は、所定の基材上に3-5族化合物半導体下地層を形成した後、この3-5族化合物半導体下地層上に、分子線エピタキシー(MBE法)により、CrSbをエピタキシャル成長させて閃亜鉛鉱型の結晶構造を有するCrSbを作製する。この閃亜鉛鉱型のCrSbは、室温より十分に高い強磁性遷移温度を示し、その結果、室温において強磁性を示し、複合デバイスにおける強磁性体部分として用いることにより、優れた複合デバイスの実現が可能になる。多層膜構造は、所定の基材と、この基材上に形成された3-5族化合物半導体下地層と、この下地層上に形成された閃亜鉛鉱型のCrSb層とを具える。この構造は、半導体層上に強磁性層が形成されており、複合デバイスの構成要素として好適に用いることができる。3-5族化合物半導体下地層は、AlGa1-xAs(0≦X≦1)、及びAlGa1-xSb(0≦X≦1)なる組成式で示される材料系から構成することが好ましい。
研究分野
  • 結晶成長技術・装置
  • 薄膜成長技術・装置
展開可能なシーズ 室温で強磁性を示す閃亜鉛鉱型CrSbの製造方法及びこの閃亜鉛鉱型CrSbを強磁性層として含む多層膜構造を提供する。
半導体と強磁性体とを積層させて組み合わせた複合デバイスを実現可能にする。
用途利用分野 半導体強磁性体複合デバイス 強磁性体含有多層膜構造
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立大学法人東北大学, . 大野 英男, 松倉 文▲礼▼, . 閃亜鉛鉱型CrSbの製造方法、及び多層膜構造. 特開2003-089600. 2003-03-28
  • C30B  29/52     
  • C30B  23/08     
  • H01F  10/12     
  • H01F  41/20     
  • H01L  21/363    

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