TOP > 技術シーズ検索 > 歪み半導体単結晶の作製方法

歪み半導体単結晶の作製方法

シーズコード S100002646
掲載日 2010年11月5日
研究者
  • 宇佐美 徳隆
  • 宇治原 徹
  • 藤原 航三
  • 中嶋 一雄
技術名称 歪み半導体単結晶の作製方法
技術概要 格子定数がaである無歪みのシリコン等の半導体単結晶11上に、単結晶状態において格子定数aと異なる格子定数bを有するようなゲルマニウム等のアモルファス半導体12を形成する。次に、半導体単結晶11及びアモルファス半導体12に対して加熱処理を施し、アモルファス半導体12をエピタキシャル成長させるとともに、半導体単結晶11及びアモルファス半導体12同士を固相相互拡散により混晶化して、格子定数a及び格子定数bの中間の格子定数cを有する無歪みの半導体混晶単結晶13を形成する。次いで、半導体混晶単結晶13上にエピタキシャル成長を実施して、格子定数cと異なる格子定数dを有する、歪みが印加されたシリコン等の半導体単結晶15を形成する。例えば、絶縁体上に形成された歪みシリコン単結晶膜は、高い電子移動度及び正孔移動度を有するとともに、寄生容量を低下させることができる。
画像

※ 画像をクリックすると拡大します。

thum_2002-355674_1.gif thum_2002-355674_2.gif
研究分野
  • 結晶成長技術・装置
  • 薄膜成長技術・装置
  • 半導体薄膜
展開可能なシーズ 歪み半導体単結晶を簡易かつ低コストで作製する方法を提供する。
半導体単結晶上にアモルファス半導体を形成しているので、アモルファス半導体中の格子定数差に起因した内部歪み緩和の結果として生じる転位の発生を抑制することができる。また半導体混晶単結晶中の転位密度、更に、歪み半導体単結晶中の転位密度も低減することができる。
用途利用分野 金属酸化物半導体、高速電子デバイス
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 国立大学法人東北大学, . 宇佐美 徳隆, 宇治原 徹, 藤原 航三, 中嶋 一雄, . 歪み半導体単結晶の作製方法. 特開2004-189505. 2004-07-08
  • C30B   1/10     
  • C30B   1/04     
  • C30B  29/52     
  • H01L  21/20     
  • H01L  27/12     
  • H01L  21/02     

PAGE TOP