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Si薄膜の作製方法 新技術説明会

シーズコード S100002647
掲載日 2010年11月5日
研究者
  • 中嶋 一雄
  • 宇佐美 徳隆
  • 宇治原 徹
  • 藤原 航三
技術名称 Si薄膜の作製方法 新技術説明会
技術概要 作製方法は、先ず、融点近傍の温度に保持されたSi融液を準備し、Si単結晶又はSi多結晶からなるSi基板Sを準備する。次いで、Si基板の主面に対してSi融液を接触させ、Siの融点近傍で液相エピタキシャル(LPE)成長を行い、Si基板の主面上に、Si結晶薄膜を形成する。好ましくは、Si基板がメタラジカルSi原料からなり、LPE成長が、Siの融点より5℃高い温度から融点より5℃低い温度の範囲で行う。LPE成長は、Si融液をスライディング式の第1の部材11における融液保持部13内に保持し、Si基板を第2の部材12における基板保持部14内に保持する。次いで、Si融液がSiの融点近傍の第1の温度に達した際に、第1又は第2の部材の少なくとも一方をスライドさせ、Si融液とSi基板の主面とを接触させ、LPE成長によって、Si結晶薄膜の成長を開始する。そしてSi融液が第1の温度以下の第2の温度に達した際に、部材の一方をスライドさせ、Si融液とSi基板の主面とを離隔させてSi結晶薄膜の成長を終了する。Si融液中に、In、Ga等を添加することにより、融点を低減させ、また幅を持たせることができる。
画像

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研究分野
  • 結晶成長技術・装置
  • 薄膜成長技術・装置
展開可能なシーズ 太陽電池の高効率化を実現できる、高価なSi原料を使用することなく、良質で低欠陥のSi結晶薄膜の作製方法を提供する。
Si基板を安価なメタラジカルSi原料から形成することができ、Si結晶薄膜を安価に作製できる。またIn等の元素を添加することにより、Si融液の温度の制御性が容易になり、LPE成長を確実に行うことができる。このSi結晶薄膜を用いて太陽電池を作製した場合に、製造コストを低減できる。
用途利用分野 Si結晶薄膜、Si太陽電池
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 学校法人東北大学, . 中嶋 一雄, 宇佐美 徳隆, 宇治原 徹, 藤原 航三, . Si薄膜の作製方法. 特開2005-001945. 2005-01-06
  • C30B  29/06     
  • C30B  19/10     
  • C30B  19/12     
  • H01L  21/208    
  • H01L  31/04     

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