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レジストパタン形成方法

シーズコード S100002653
掲載日 2010年11月5日
研究者
  • 堀内 敏行
技術名称 レジストパタン形成方法
技術概要 半導体ウェハ等の基板1に層レジスト膜2を付し、その上に上層レジスト膜3を重ねて形成する。下層レジスト膜2上に上層レジスト膜3を形成する際、下層レジスト膜2はその感光波長帯が上層レジスト膜3の感光波長帯より長波長側に存在するレジスト膜とし、上層レジスト膜3を露光する露光光線には感光しないレジスト膜とする。下層レジスト膜2上に上層レジスト膜3を形成したならば、次に、上層レジスト膜3だけが感光し下層レジスト膜2が感光しない露光光線を用いて、上層レジスト膜3をパタン形状に露光する。この際、上層レジスト膜3を露光するパタンは、予め露光フィールド内のパタンを2群のパタン群に分割した片方のパタン群とする。次いで、上層レジスト膜3を分割した片方のパタン群の形状に露光したならば、引き続いて現像を行って、上層レジストパタン4を形成する。この際、上層レジストパタン4は、レジストパタンの中心線間の間隔pをレジストパタンの最小線幅wの3.5倍以上とする。
画像

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研究分野
  • 撮影,現像,焼付け,引伸し
  • 光源,照明器具
  • 固体デバイス製造技術一般
展開可能なシーズ 2光子吸収レジストといった特別なレジストを用いることなく、上層レジストパタンも下層レジストパタンも原図パタンの配置ピッチを既存の約倍に大きくできるレジストパタン形成方法を提供する。
上層レジストパタンを殆んど透過しない等の性質を持つ露光光線により、上層レジストパタン中の任意のパタンと任意のパタンに隣接するパタンとの間に露出した下層レジスト膜を分割した第2のパタン群に対応するパタン形状に露光、現像を行って、上層レジストパタンの直下及び第2のパタン群に対応するパタン形状露光の際の暗部に下層レジストパタンを形成することにより、大幅に集積度や微細度を向上させることができる。
用途利用分野 半導体集積回路
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 学校法人東京電機大学, . 堀内 敏行, . レジストパタン形成方法. 特開2002-075857. 2002-03-15
  • H01L  21/027    
  • G03F   1/08     
  • G03F   7/26     

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