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レーザーアブレーションを利用したSiO2膜の形成法及び装置

シーズコード S100002670
掲載日 2010年11月5日
研究者
  • 大越 昌幸
  • 井上 成美
  • 倉松 雅章
技術名称 レーザーアブレーションを利用したSiO2膜の形成法及び装置
技術概要 シリコーン等のSi-O-Si結合(シロキサン結合)を含む化合物のターゲット2及びターゲット2に対向した基板3を、好ましくは減圧された酸素ガス雰囲気でかつ常温の成膜容器1内に配し、成膜容器1に設けられた入射窓4を通して紫外線乃至真空紫外線のレーザー光をターゲット2に照射し、レーザーアブレーションを利用してSiO膜を室温で形成する。好ましくは、ターゲットの側鎖を開裂させるため、レーザー光の振動数をν、プランク定数をhとしたとき、hνが、化合物における側鎖の結合エネルギーよりも大きく、レーザ光の照射エネルギー密度が、1J/cm以上である。また酸素ガス圧が、10-4Torr以上10-1Torr以下である。レーザー光の波長や照射エネルギー密度によってターゲット2の開裂状態を制御でき、紫外可視透過性や電気絶縁性に優れたSiO膜を、室温で成膜できる。シロキサン結合の結合エネルギーよりもレーザー光のhνは小さいことが必要であるが、側鎖の結合エネルギーよりもシロキサン結合の結合エネルギーは十分大きいので、紫外線乃至真空紫外線のレーザー光であればこの条件を満足させ得る。
画像

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研究分野
  • 薄膜成長技術・装置
  • 酸化物薄膜
展開可能なシーズ 透明度の高い良質のSiO膜を室温で形成可能な、レーザーアブレーションを利用したSiO膜の形成法及び装置を提供する。
熱影響を受けやすい基板(高分子材料や生体材料、低融点材料、熱拡散しやすい材料等)への膜形成も可能となり、その用途は、電気、電子のみならず多くの分野で有用である。
用途利用分野 フレキシブルプラスチック基板、モバイル通信、ウェアラブルコンピュータ
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 防衛装備庁長官, . 大越 昌幸, 井上 成美, 倉松 雅章, . レーザーアブレーションを利用したSiO膜の形成法及び装置. 特開2002-249869. 2002-09-06
  • C23C  14/28     
  • C01B  33/12     
  • C23C  14/10     
  • H01L  21/31     
  • H01L  21/316    
  • H01L  21/363    

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