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レーザー光を用いたSi-O-Si結合を含む固体化合物の表面改質法

シーズコード S100002685
掲載日 2010年11月5日
研究者
  • 大越 昌幸
  • 井上 成美
  • 高尾 寛弘
技術名称 レーザー光を用いたSi-O-Si結合を含む固体化合物の表面改質法
技術概要 Si-O-Si結合を含むポリシロキサン1等の固体化合物表面に、筒状の固体化合物の筒内壁に、又は固体化合物を任意の形状に保持した状態で、例えば波長190nm以下の、真空紫外レーザー光をアブレーション閾値(約140mJ/cm)以下で照射する。そして、ポリシロキサンを構成している側鎖を光開裂により完全に除去し、かつ、その部分を膨張させることにより、ポリシロキサン表面上に、例えば高さ約3μmの、SiO隆起層を直接形成する。またこの形成されたSiO隆起層は、フッ酸等の薬品を用いた化学エッチングで除去でき、再度同一ポリシロキサン上の任意の位置にSiO隆起層を形成し、再書き込み可能な光学素子も製作できる。レーザー光の照射は、所定パターンの透孔を有する金属マスク2をポリシロキサン1の表面に重ね、酸素ガスによる光吸収を避けるため、真空(又は窒素ガス)中で行う。
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研究分野
  • 薄膜成長技術・装置
  • 光デバイス一般
展開可能なシーズ 炭素混入のない良質のSiO層を室温で形成可能なレーザー光を用いたSi-O-Si結合を含む固体化合物の表面改質法を提供する。
フレキシブル基板上にSiO光導波路やフォトニック結晶などの光デバイスを製作するための良質のシリカガラス(SiO)膜を形成できる。
用途利用分野 フレキシブル素子、形状記憶材料、マイクロマシン
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 防衛装備庁長官, . 大越 昌幸, 井上 成美, 高尾 寛弘, . レーザー光を用いたSi-O-Si結合を含む固体化合物の表面改質法. 特開2004-123816. 2004-04-22
  • C23C 14/28      
  • C08J  7/00      
  • H01L 21/316     
  • C08L 83/04      

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