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負イオン照射・同時蒸着による膜形成方法とその装置

シーズコード S100002691
掲載日 2010年11月5日
研究者
  • 岸本 直樹
  • 武田 良彦
  • 河野 健一郎
技術名称 負イオン照射・同時蒸着による膜形成方法とその装置
技術概要 膜形成は、真空容器内部において、イオン源から試料基板表面へのイオン照射と、膜基材の試料基板表面への蒸着とを同時に行うダイナミックミキシング処理により行う。この場合、イオン源から照射されるイオンが、金属元素又は絶縁体中で過飽和にすることのできる非金属元素の負イオンで、試料基板に同時蒸着する膜基材が絶縁体物質であり、金属元素又は非金属元素の微粒子が膜基材中に分散されている微粒子分散膜を形成する。好ましくは、膜基材が、SiO,Al,MgO,MgO-Al,LiNbO及びBaのうちの1種又は2種以上である。また負イオンが、Cu、Co、Ni、Zn、Mo、Pd、Ag、As、Se等の負イオンである。イオン粒子衝撃によって発生する2次電子放出と、負イオン照射による負電荷の流入との均整がなされ、絶縁体膜基材とイオンとして導入される元素から構成される膜の成長において、無帯電状態が継続し、即ち、継続的な膜形成による膜の厚膜化が可能となり、また膜を構成する元素の密度の高密度化及び均一化が実現される。
研究分野
  • 薄膜成長技術・装置
展開可能なシーズ 負イオンによるダイナミックミキシング処理により、絶縁体材料を膜基材とした多元の元素から成る、機能性膜等を形成可能にする。
絶縁体を基材とする膜を安定して形成することができ、非線形光学特性を持つ厚膜材料等の機能性材料の創製が可能となる。
用途利用分野 非線形光学厚膜材料
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 独立行政法人物質・材料研究機構, . 岸本 直樹, 武田 良彦, 河野 健一郎, . 負イオン照射・同時蒸着による膜形成方法とその装置. 特開2001-140056. 2001-05-22
  • C23C  14/06     
  • C23C  14/48     
  • G02F   1/355    
  • H01J  37/317    

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