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酸化物膜の構造を制御する方法及び該方法に使用する装置

シーズコード S100002692
掲載日 2010年11月5日
研究者
  • 斎藤 秀俊
  • 大塩 茂夫
技術名称 酸化物膜の構造を制御する方法及び該方法に使用する装置
技術概要 気化させた原料をキャリヤーガスとともに大気開放下に加熱された基材表面に吹付けて、酸化物膜を堆積する大気開放型化学気相析出法である。この場合、反応空間場に電界を印加することにより、基材表面に形成する酸化物膜の構造を制御する。好ましくは、印加する電界が直流電界であり、電界の強度が0.1~10000V/mmであり、電界の方向が、酸化物膜を形成する基材に対して正又は負である。酸化物膜内の0.1nm以上100μm以下の構造を制御し、基材表面に堆積する酸化物膜が、アモルファス又は多結晶構造である。また基材6が、金属、金属酸化物、ガラス、陶磁器、セラミックス又はプラスチックから選択される。装置は、乾燥窒素等のキャリヤーガス供給手段、原料気化器3、気化した原料の吹付ノズル4及び基材6を加熱する加熱台8を具備する。この場合、加熱台8に近接する位置に直流電界印加装置7を設ける。好ましくは、加熱台8と電界印加装置7とが電気的に絶縁される。また少なくとも気化した原料の吹付ノズル4、加熱台8及び電界印加装置7を覆う防護チャンバー9を設け、扉10の開閉と電界印加装置7のスイッチの開閉を連動させる。
画像

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研究分野
  • 薄膜成長技術・装置
  • 酸化物薄膜
展開可能なシーズ 大気開放型CVD法において、各種の基材表面に堆積する酸化物膜の構造、特に酸化物膜内の特定の範囲の微細な構造を制御する方法、及び方法に使用する装置を提供する。
基材表面に所望の凹凸、ウイスカー、エピタキシャル膜等を有する酸化物膜を形成することが可能となる。
用途利用分野 触媒、センサー、光学素子
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 学校法人長岡技術科学大学, . 斎藤 秀俊, 大塩 茂夫, . 酸化物膜の構造を制御する方法及び該方法に使用する装置. 特開2002-105642. 2002-04-10
  • C23C  16/44     
  • C01B  13/14     
  • C01F   5/06     
  • C01F   7/30     
  • C01G   9/03     
  • C01G  19/00     
  • C01G  23/07     
  • H01L  21/31     
  • H01L  21/316    

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