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磁気記憶素子、磁気メモリ、磁気記録方法、磁気記憶素子の製造方法、及び磁気メモリの製造方法

シーズコード S100002727
掲載日 2010年11月5日
研究者
  • 武笠 幸一
  • 澤村 誠
  • 末岡 和久
  • 廣田 榮一
  • 中根 了昌
  • 中村 基訓
技術名称 磁気記憶素子、磁気メモリ、磁気記録方法、磁気記憶素子の製造方法、及び磁気メモリの製造方法
技術概要 外部磁界の印加によりスピンボルテックスを生じる第1の磁性体薄膜1と、この第1の磁性体薄膜1の上方において、膜面と略垂直な磁化を有する第2の磁性体薄膜2を設ける。第1の磁性体薄膜1は、所定の外部磁界印加によってスピンボルテックスを生じさせるものであれば、如何なる磁性材料から構成しても良い。しかしながら、パーマロイやスーパーマロイ、及び鉄等の軟磁性材料、特にパーマロイから構成することが好ましい。また、第2の磁性体薄膜2は内部にスピンボルテックスを生じさせるものではないため、如何なる形状に作製することもできる。しかしながら、第1の磁性体薄膜1及び第2の磁性体薄膜2は、共通のレジストパターンを用いて連続的に作製されるため、第1の磁性体薄膜1と第2の磁性体薄膜2とは同一の形状を呈するようになる。このため、第1の磁性体薄膜1が円柱状を呈する場合は、第2の磁性体薄膜2も円柱状を呈するようにする。
画像

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研究分野
  • 半導体集積回路
  • 磁性材料
展開可能なシーズ 実用に足るMRAMを提供することのできる新規な磁気記憶素子を提供すると共に、これを用いた磁気メモリを提供する。
外部磁界の印加によりスピンボルテックスを生じる第1の磁性体薄膜と、この第1の磁性体薄膜の上方において、膜面と略垂直な磁化を有する第2の磁性体薄膜を設けることにより、スピンボルテックスによる磁化の向きに応じて書き込みを行う全く新規な構成の磁気記憶素子、及びこれを用いた磁気メモリを提供することができる。
用途利用分野 ランダムアクセスメモリ(RAM)
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 学校法人北海道大学, . 武笠 幸一, 澤村 誠, 末岡 和久, 廣田 榮一, 中根 了昌, 中村 基訓, . 磁気記憶素子、磁気メモリ、磁気記録方法、磁気記憶素子の製造方法、及び磁気メモリの製造方法. 特開2002-343943. 2002-11-29
  • H01L  27/105    
  • G11C  11/14     
  • G11C  11/15     
  • H01F  10/16     
  • H01L  43/08     

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