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アモルファスシリコン薄膜の成膜方法

シーズコード S100002781
掲載日 2010年11月5日
研究者
  • 渡辺 征夫
  • 白谷 正治
  • 古閑 一憲
技術名称 アモルファスシリコン薄膜の成膜方法
技術概要 まず、真空容器1内の第1電極5上に被成膜部材19を載置し、次に、内蔵したヒータにより第1電極5を240~260℃に温度に加熱する。この時、第2電極7をこれと対向する第1電極5より低い温度に設定する。次いで、排気装置を駆動して真空容器1内のガスを、第2電極7底部の複数のガス排気孔及び排気管9と、4つの排気筒体15及び排気管17と、大口径排気管18とを通して排気する。この排気を続行しながら、原料ガスであるシランを原料ガス供給管14から原料ガス供給リング13の複数のガス噴出口を通して真空容器1内に供給し、プラズマ発生に適した真空度に維持する。続いて、真空容器1内の真空度が安定した後、所望の周波数及び電力を持つ高周波を高周波電源10から容量12を通して第2電極7に印加し、第1、第2の電極5、7間にシランガス放電プラズマを発生させることにより、第1電極5に保持した被成膜部材19にアモルファスシリコン薄膜を成膜する。
画像

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研究分野
  • 薄膜成長技術・装置
  • 気体放電
  • プラズマ生成・加熱
展開可能なシーズ シラン放電プラズマ中のクラスタ量を激減させることにより優れた膜質を有し、太陽電池、液晶表示装置の薄膜トランジスタ等に有用なアモルファスシリコン薄膜を提供する。
第2電極のガス排気部及び真空容器のガス排気穴を通して真空容器内のガスを排気すると共に、高周波電源から高周波電力を第2電極に印加して第1、第2の電極間にシランガス放電プラズマを発生させて被成膜部材にアモルファスシリコン薄膜を成膜することにより、シラン放電プラズマ中のクラスタ量を激減させた、優れた膜質を有するアモルファスシリコン薄膜を得ることができる。
用途利用分野 太陽電池、液晶表示装置の薄膜トランジスタ
出願特許   特許 国際特許分類(IPC)
( 1 ) 九州大学, . 渡辺 征夫, 白谷 正治, 古閑 一憲, . アモルファスシリコン薄膜の成膜方法. 特開2002-299266. 2002-10-11
  • H01L  21/205    
  • C23C  16/24     
  • C23C  16/509    
  • H01L  21/336    
  • H01L  29/786    
  • H01L  31/04     

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